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[参考译文] LMZM33606EVM:PGND 和 GND 重叠

Guru**** 1131400 points
Other Parts Discussed in Thread: LMZM33606EVM, LMZM33606
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/937436/lmzm33606evm-overlapping-pgnd-and-gnd

器件型号:LMZM33606EVM
主题中讨论的其他器件: LMZM33606

您好!

对于 LMZM33606、但也大多数是 TI 的任何其他电源 IC、建议在数据表中将 PGND 和 GND 分开。 请查看下图: 对于 LMZM33606EVM、第2层主要用于 PGND (标记为绿色)、底层主要用于 GND (标记为蓝色)。 这意味着 GND 和 PGND 在不同层上重叠、这会导致 PGND 和 GND 之间出现一定数量的电容耦合。 其他 TI EVM 通过在不重叠的区域中分离 GND 和 PGND 来解决这一问题。 我的问题是、让这两层重叠通常是可以的吗? TI 是否提供有关如何在 PCB 布局上设计 GND 和 PGND 的任何特定设计指南?

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    你(们)好  

    底部 GND 层用作 AGND,您可以将这两层 PGND 和 AGND 重叠在一起,将其用作 PGND。  

    谢谢

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    您好!

    据我了解、AGND 与 PGND 是分离的、因为 FET 的 PGND 上会产生相当多的开关噪声、并且不应干扰 AGND 敏感组件。 如果 PGND 重叠、那么它们是否不会耦合到 AGND 中?

    BR

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    您好:

    是的、您的理解是正确的。 但在 EVM 布局中、噪声电流或电压不会干扰 AGND、因为 AGND 使用单点接地方式连接顶层的 PGND、因此无法将噪声传输到 AGND 再返回 PGND、 因此,即使您将底层更改为 PGND,也不会干扰 AGND。 PGND 并不是全部噪声、 PGND 最嘈杂的部分是 从模块的 PGND 到顶层的输入陶瓷电容器。

    谢谢