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[参考译文] LM25145:LM25145无法实现正确的调节

Guru**** 655270 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25145, CSD18534Q5A, CSD18514Q5A, LM25145DESIGN-CALC
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/945853/lm25145-lm25145-can-t-achieve-correct-regulation

器件型号:LM25145
主题中讨论的其他器件: CSD18534Q5ACSD18514Q5A

大家好、我已经为 LM25145稳压器设计了 schematch through webench 工具、我的规格是:

VIN = 24V

VOUT = 12V (约6A 电流)

实际上、我有:

RT 电阻= 11.2千欧

EN =连接至18V。

Cin = 10uF 陶瓷电容

COUT = 4x22uF 陶瓷电容

Cbst = 100nF

Rilim = 470欧姆。

Rfb1 = 1k Ω。

Rfb2 = 14K Ω。

电感= 4.7uH 6.25m Ω 15.5A

Q1 = CSD18534Q5A

Q2 = CSD18514Q5A

问题是我无法获得适当的调节、输出电压在12V 左右摆动一秒钟、然后变为20-22V。 在此初始期间、存在较大的"油炸"噪声。 通过在 SW 引脚上探头、我可以看到1.47MHz 频率和幅度从5V 到28-29V 的波形。 占空比为~ 33%。 Vcc 处的电压差为4.8-5V、不是很稳定。

我无法理解为什么我具有如此高的开关频率、以及为什么我无法获得12V 输出。 我应该检查什么?

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    你好

    首先对照此器件产品页面上的计算器工具检查您的值、并检查以确保值正确无误

    所有组件均已正确焊接到位。

    此外、请发送 PCB 布局视图。

    我将向控制器组中的某个人分配此帖子。

    谢谢

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    您好、Emmanuel、

    您能否将填充的 LM25145DESIGN-CALC 以及布局信息发送给您?

    此外、SW 节点波形也非常有用。

    我认为您的原理图可能可以正常工作、因为它的启动电压高达12V、但我认为肯定存在一些不稳定因素、这与布局有关。

    -奥兰多

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    您好!

    非常感谢提示、我尝试发布一些内容、我无法发布完整的光绘文件、因为这是我无法分享的更大项目的一部分、但我将发布开关部分、它几乎与所有其他部分分离。

    此电路板有4层、顶层、底层、第2层为接地、第3层为电源。

    我使用 webench 工具绘制了原理图。

    我从电路板上除色了与其他电路相关的所有元件、因此实际上该稳压器与电路板的其余部分完全分离。

    通过测试此原理图、我无法获得正确的输出调节、因此尝试填充您的设计计算器、我注意到补偿电路的建议值与 webench 建议的值不同。 因此、我尝试了计算器建议的值。

    R5 = Rilim = 470欧姆。

    C15和 C17短路。 C16 = 47nF

    C23 = 100pF

    R12和 R17短路、R13为6.4k Ω。

    我还将 R9 RT 电阻器修改为11K Ω、因此开关频率应约为950KHz、

    相反、我在 SW 引脚处得到该波形、从~ 6V - 30V 开始的波形和频率为1.493MHz、并且发出响亮的油炸噪声...

    如果您有任何提示、我们将不胜感激。

    e2e.ti.com/.../LM25145_5F00_12V_5F00_reg.zip

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    Emanuele、

    我发现您的 SW 节点会下降到5V 而不是0V、这很奇怪。

    您能否检查低侧 FET 的源极是否实际为0V? 您还能探测低侧 FET 的栅极-源极电压吗?

    现在、SW 节点表明低侧 FET 未完全导通。

    请告诉我、

    -奥兰多

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    您好!

    感谢您的建议。 我记录了一些波形。

    在这些图像中、黄色迹线是 SW 节点、蓝色迹线是:

    Q1g =高侧栅极。

    Q2g =低侧栅极。

    Q1d 和 Q2S 是高侧的漏极和低侧的源极、似乎已正确连接至24V (Vin)和0V (GND)。

    Q2栅极(低侧 FET)上的电压从0变为~ 6-7V、而 Q1栅极(高侧)上的电压从0变为~ 30V。 所有这些差异都是正常的??

    此致

    Emanuele

    e2e.ti.com/.../gates_5F00_waveform.zip

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    Emanuele、

    为了使高侧 MOSFET 导通、VGS 必须大于阈值电压、因为源极电压会变为 VIN、栅极电压必须变为 VIN+7.5V、以便高侧导通电压正确为~30V (通过自举 BST 电路实现)。

    高侧关断信号看起来很奇怪。 高侧下拉为 SW 节点、因此 HO 应降至 SW 电压以关闭高侧 MOSFET。

    我们预计 SW 下降至0V、HO 下降至0V、但在这里、看起来 SW 只下降至5V、HO 下降至0V、这意味着负 VGS。  

     

    您的低侧 MOSFET 信号看起来不错、源极电压为0V、LO 栅极信号看起来正确、因此 SW 节点应拉至0V、但不会。

     

    栅极驱动有问题、您能否尝试更换 MOSFET 和 IC、看看 SW 节点波形是否改善? 请在将 SYNC-IN 连接到 GND 的情况下尝试空载。

    -奥兰多

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    好的、

    现在我更改了 Q1、SW 波形看起来不错。 还可以在12V 和负载条件下实现稳定调节。 我认为这个问题已经解决了。

    感谢您的提示和建议、非常感谢。

    此致