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[参考译文] BQ24171:ACFET 和 RBFET

Guru**** 645810 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17571Q2, CSD17313Q2, BQ24171
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/945449/bq24171-acfet-and-rbfet

器件型号:BQ24171
主题中讨论的其他器件:CSD17571Q2CSD17313Q2

你(们)好
我有两个问题。

请告诉我如何选择 ACFET 和 RBFET。

此外、请告诉我们选择评估板中使用的 ACFET 和 BRFET 的原因。

请回答。

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    你(们)好

    我还有一个问题。
    请告诉我们外设无源元件的相关信息。

    请回答。

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    您好!

    对于外设无源元件:

    https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/5140.BQ24133-BQ2417x_5F00_Schematic-Checklist_5F00_V1p0.pdf

    对于 ACFET 和 RBFET:

    选择 N 沟道功率 MOSFET 的原因是其低 RDSON ON ON 以及低 Qg 和 Qgd。 任何具有相似 RDSON、Qg 和 Qgd  的 N 沟道功率 MOSFET 均可用于代替 CSD17313Q2、例如 CSD17571Q2。

    我希望这可以解决您的问题、

    Ricardo

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    你(们)好

    由于它是 BR24271、因此数据表中还包含 CGD。

    我想知道 CGD 的解释。
    如果可能、我还想知道相关的方程。

    请告诉我。

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    Hideki-San、

    我不知道 BR24271是什么、您能否发送数据表链接?

    C_GD 是栅极和漏极之间的电容。 该电容和组合总栅极电容(C_G)必须充满电、MOSFET 才能导通。

    其意义在于、ACDRV 上的电荷泵的限值为60uA。 通过保持低栅极电容或栅极电荷、您可以缩短导通时间。

    一些相关公式:

    Q = I * t 且 Q = CV

    我希望这可以解决您的问题、

    Ricardo

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    抱歉。 它是 BQ24171而不是 BR24271。
    我将再次向您提出问题。

    BQ24171数据表的"10.2.5""输入 ACFET 和 RB FET"部分中还列出了 CGD。

    请告诉我 CGD 的解释。
    如果可能、我还想知道相关的方程

    请告诉我。

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    Hideki-San、

    我现在理解您的担忧。 外部 C_GD 和 C_GS 用于补充 MOSFET 的寄生电容。 这些寄生电容会限制 MOSFET 的导通时间。 为了进一步缩短 MOSFET 的导通时间、您可以使用额外的外部电容。

    导通时间可计算为对 FET 的总栅极电容以及外部附加电容进行充电所需的时间。 您知道栅极驱动电流(60uA)、您将知道所选 FET 的导通电压、您将知道 FET 的电容。 考虑到所有这些因素、您可以估算导通时间。

    我希望这可以解决您的问题、

    Ricardo

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    谢谢你。

    我知道 CGD 和 CGS 用于设置外部 MOSFET 的导通时间。

    以下是如何确定 CGD 和 CGS 值的信息吗?

     CGS 大约是 MOSFET 的 CG 的10倍
     CGD 约为 MOSFET CGD 的10倍

    正确吗?

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    Hideki-San、

    这基本上是正确的、也是一个良好的起点。

    我希望这可以解决您的问题、

    Ricardo