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[参考译文] LMG1210：LMG1210内部 FET 如何影响 BST 二极管反向恢复？

admin
Guru**** 2507015 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1164922/lmg1210-how-does-lmg1210-internal-fet-affect-bst-diode-reverse-recovery

器件型号：LMG1210

谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2507015 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、胜利、

    内部 FET 用于防止 BST 电容器过充。 它仅在驱动器的死区时间内触发。

    内部 FET 还可防止电流在死区时间内发生上升、从而减少电流随时间的变化。 减小 P-N 二极管的 di/dt 和正向电流可减小 Qrr、从而降低反向恢复。 当 BST 电容器从充电状态从 LO 打开状态转换到 HO 打开状态时放电状态时、这尤其有用。

    此致、
    Edthan Galloway