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[参考译文] BQ25703A:升压模式下 BQ25703A MOS 和电感过热

Guru**** 1083740 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A, CSD17551Q3A, CSD17551Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/915490/bq25703a-bq25703a-mos-and-inductance-hot-when-in-boost-mode

器件型号:BQ25703A
主题中讨论的其他器件: CSD17551Q3ACSD17551Q5A

你(们)好

我的客户采用 BQ25703A 进行设计。  BQ25703A 在升压模式下工作、 输入电压12V 为4S1P LiFePo4电池充电(最大14.6V)、 寄存器设置如下:

充电选项0 820E
充电电流寄存器0800
充电电压寄存器3900
OTG 电压寄存器0000
OTG 电流寄存器0000
输入电压寄存器2100
最低系统电压2D00
输入电流寄存器3C00
充电状态寄存器 B400
PROCHOT 状态寄存器0040
使用3C00时的输入电流限制
VBUS 和 PSYS 电压读回8410
充电和放电电流读回1E00
输入电流和 CMPIN 电压读回3900
系统和电池电压读回 B2B1
制造商 ID 和设备 ID 读回7840
器件 ID 回读1078
充电选项1 9210
充电选项2 02B7
充电选项3 0000
PROCHOT 选项0 4A54
PROCHOT 选项1 8128
ADC 选项2000

VIN=12V、VBUS=12V、VSYS&VBAT (电压缓慢上升至14.52V)、充电电流为2024mA、 并发现升压模式下的电感(L1)和两个 MOS 管(Q14&Q16)和 BQ25703A 芯片非常热、充电电流配置越大、充电电流越热、充电电流为1024mA 时没有问题。

NMOS 管选择 NTMFS4833NT3G、RDS (on)= 2.0mR@10V、ID (max)= 191A、SO-8 FL 封装;

电感:74437356022 2.2 μH μ H、8.5A、0.0203 Ω;

以下六张图片是 SCH、PCB、信号波形和热图、请帮助检查。

 谢谢

星号

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    感谢您分享设计信息。  

    您的布局看起来不错。 波形 HIDRV2和 LODRV2缓慢异常、这可能导致高开关损耗和高热耗散。 建议查看 REGN 电容、BTST2电容以及栅极驱动走线和电阻等组件值。  

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    您好,周虎,

    感谢你的答复。 我仍然为2048mA 充电、以便为铁锂电池充电。 测得的 REGN 电压为5.97V。 栅极驱动布线如图所示。 PCB 板有四层、栅极驱动走线位于第三层(1oz)、栅极驱动两端的测量电阻为0.4~0.5欧姆。 示波器再次查看波形以确认其速度确实异常慢。 我不知道可以采取哪些措施来解决或改善这些异常情况?

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    我们以前为栅极驱动使用宽迹线。 您可以尝试使用 TI-FET CSD17551Q3A、因为它们具有低栅极电容。  

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    周虎,您好

    由于材料的 PCB 封装、我选择了 TI CSD17551Q5A 模型进行测试。 这两个参数几乎相同。 其中包括参数:QG=6.0nC、Ciss=1050pF。

    此致、

    Huigen Jiang @F&R