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[参考译文] LM25148:MOS Vth

Guru**** 651100 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25148, LM5145
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1166299/lm25148-mos-vth

器件型号:LM25148
主题中讨论的其他器件: LM5145

大家好、

我正在使用 Excel 工具评估 MOS 损耗、但遇到了一个问题。

您可以看到、阈值电压(1.8V)和米勒平坦电压(3.8V)是不同的

米勒平坦区没有输入列、我应该向计算器输入哪一个?

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    您好、Fred、

    您可以使用米勒平坦电压、因为该电压用于文件中的开关时间计算。 文件中该单元格中的注释也应指示这一点。

    请注意、基于 LM25148 5V VCC、3.8V 有点高。 大多数逻辑电平40/60/80V FET 处于3V 至3.5V 的范围内、因此可在5V 栅极驱动振幅下实现足够的过驱、尤其是在栅极阈值和米勒平坦区电平上升的寒冷条件下。

    此致、

    Tim

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    感谢您的即时回复、

    但我很困惑,如果 在 Excel 中将米勒平坦区电压命名为栅极阈值电压,为什么应该输入米勒平坦区电压?

    我的意思是、它们最初是不同的。

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    您好、Fred、

    很抱歉 、存在模糊之处-我们将在下一个修订周期中更新该内容。

    此致、

    Tim

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    您好、Timothy、

    因此、它应该是米勒平坦电压、得到它。

    BTW、如果我想使用并联 MOS 来降低 RDS_ON LS、

    这是否意味着我必须将 Qg、Qgd、Qgs、Coss 和 GFS 加倍?

    还有其他事情我必须加倍吗?

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    是的、正确、电容加倍、栅极电荷。 反向恢复电荷和跨导。 导通电阻和栅极电阻减半。 有效热阻也会更低(但可能不是一半)。

    请注意、除非输出电流高(>15-20A)、否则通常不需要并联 FET、具体取决于最高环境温度和气流。

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    您好、Timothy、

    是的、我的客户规格是18A、

    实际上、我发现并联只能帮助 LS。 HS 由 CGD 主导

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    谢谢、Fred。 您还可以减少 FET 的 Rdson。 根据品质因数、可能会更好。 查看使用80V FET 的5V/20A/225kHz LM5145 EVM。