[参考译文] TPS2660：TPS2661在各种条件下的 RTN 至 GND 电阻

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Other Parts Discussed in Thread: TMUX1237

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器件型号：TPS2660
主题中讨论的其他器件：TMUX1237

您好！

我注意到、在之前的 E2E 帖子中提到、当~SHDN 未被拉至低电平(即启用了电子保险丝)且 VIN 上没有反极性条件时、RTN 到 GND 的电阻将约为10欧姆。

我想知道~当 Δ Σ SHDN 被拉至低电平(即、低功耗模式下的 EFUSE)时会出现什么情况。

问题：在这些条件下、RTN 和 GND 之间的电阻是多少？ RTN 引脚上的泄漏电流是多少？

1：~SHDN 被拉至低电平、VIN 大于最小工作输入电压、不处于反极性模式

2.~SHDN 被拉至低电平、VIN 等于0V

0 admin 5 年多前

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尊敬的 Andrew：

感谢您的支持！

我们尚未确定 RTN 和 GND 之间的电阻值。

1：~SHDN 被拉至低电平、VIN 大于最小工作输入电压、不处于反极性模式

电阻=~10 Ω、由于阻抗较低、RTN 引脚的电流取决于您在 RTN 引脚上施加的外部电压

2.~SHDN 被拉至低电平、VIN 等于0V

电阻大约为100千欧、类似地、RTN 引脚上的电流取决于您在 RTN 引脚上施加的外部电压

顺便说一下，为什么这些信息对您的系统很重要？

此致、Rakesh

0 admin 5 年多前

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您好、Rakesh、感谢您的回复。

这个问题之所以对我很重要、是因为我们的设计使用一个 ADC 输入来测量来自两个不同 EFUSES IMON 信号的电压。因此、可靠地了解 Rtn 到接地电阻是什么将有助于提高我们的 IMON 测量精度。

这是我们的 IMON 测量网络的简化图。根据 VIN 和~SHDN 信号上的电压(这些引脚未显示)、RTN 的电阻将会变化。

这种 IMON 配置与我在 TI 应用手册中看到的其他并行 efuse 配置有相似之处。主要区别在于、我们只使用一个 EFUSE 或另一个 EFUSE 进行供电。这意味着、在某些时候、RTN 信号将相互连接(上面的示例#1)、但在某些时候、RTN 信号将具有高阻抗。

您是否有任何以这种方式配置 IMON 测量网络的具体指导？

0 admin 5 年多前

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0 admin 5 年多前

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尊敬的 Andrew：

我想、它会对测量产生影响。例如、在第二个电子保险丝关断的情况下、ADC 输入将是100k 和(第二个电子保险丝的100k+24.9K+RTN 至 GND 电阻)的分压器输出。由于 RTN 至 GND 的电阻会相应变化、结果输出取决于第二个电子保险丝是禁用还是未供电。

可在 ADC 之前使用模拟多路复用器开关(如 TMUX1237)来选择所需节点。

此致、Rakesh

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