[参考译文] LM5122EVM-2PH：LM5122EVM-2PH 针对所需规格进行了更改。

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器件型号：LM5122EVM-2PH

您好！

我将 LM5122EVM-2PH 板用于我的应用 Vin-(22-28) Volts、Vout-36Volts、Iout -7.5 Amps。如果可能，请进行更改以获取我的规格？如果可能、我必须在该 EVM PCB 中进行哪些更改才能获得所需的规格。

此致、

Akshay H B

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1471450 points

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您好 Bharath、

感谢您的关注。必须更改以下部件：
(1)反馈电阻器 R32：应将其更改为1.74k。
(2) C8、C9、C10、C11：应更改为至少50V 额定电压、使用相同的电容、然后保持环路稳定性。
(3)您可以考虑将所有 MOSFET 更改为60V 额定电压、以具有更大的裕度、但安装的40V MOSFET 可能会起作用。

谢谢、
应用工程学 Yohao Xi

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1471450 points

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您好，Youhao，

我更改了组件以获得36伏、7安培的输出电流。电路板工作正常。但是、对于200W 负载、MOSFET 和电感器在5分钟内发热非常严重。

1) 1)如何减少这些组件产生的热量。(电感器和 MOSFET)

2) 2) EVM 板在二极管仿真模式下工作，因为主高侧 MOSFET 上的电压下降了0.8V。如果我将其更改为强制 PWM 模式、EVM 板是否正常工作。

3) 3)如果从二极管仿真模式更改为 PWM 模式、则还要进行哪些更改以避免一次打开高侧和低侧 MOSFET。如何在栅极驱动脉冲之间提供时间延迟。

感谢您，我期待您立即作出答复。

此致、

Akshay H B

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1471450 points

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您好、Akshay、

很高兴听到您具有所需的输出电压。恐怕您的 MOSFET 和电感器选择需要改进。数据表中提供了选择指南、请按照该指南选择合适的器件。基本思路包括：

使用 DCR 较低的电感器。现在、通过电感器的功率和电流都更高。因此、电感器具有更多的导通损耗。
2.使用平衡开关损耗和传导损耗的 FET。您需要检查 Rdson 和 Qg、并进行权衡、以使总损耗最小。

希望这一点得到澄清。

谢谢、
应用工程学 Yohao Xi

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