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[参考译文] UCC28250:PMP8878中的输入过压和欠压保护

Guru**** 649970 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP8878, UCC25230, UCC28250, PMP8877, UCD3138
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/770083/ucc28250-input-over-voltage-and-under-voltage-protection-in-pmp8878

器件型号:UCC28250
主题中讨论的其他器件:PMP8878UCC25230PMP8877UCD3138

您好、先生、

我们计划开发一个采用 PMP8878作为参考的砖型模块。 但我们需要输入过压和欠压保护。

 PMP8878中是否有任何输入过压和欠压保护电路? 我看不到任何这样的电路。 如何实现它?

此致

Aneesh

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    Aneesh

    PMP8878采用我们的 PWM 控制器 UCC25230。 该控制器包括具有迟滞功能的输入电压 UVLO (欠压锁定)和 OVLO (欠压锁定)比较器。 有关更多信息、请参阅其数据表。

    此致、
    Eric
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    尊敬的 Eric:

    您的意思是说 UVLO (欠压锁定)和 OVLO (欠压锁定)功能可由 UCC25230 IC 实现、而不是主控制器 UCC28250正确?。

    但是、为什么 PMP8878中没有实现 UVLO 和 OVLO?.UCC25230的引脚3 (UV)  是开路的。

    此致

    Aneesh

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    Annesh

    您对器件型号正确无误、抱歉。 UCC25230用于控制偏置电源、UCC28250是主功率级控制器。 在此设计中禁用 UCC25230将移除 UCC28250的偏置电源、从而导致转换器停止运行。

    PMP8878是一个具有其自身要求的示例参考设计。 我无法评论设计标准的细节、但它可能没有任何输入过压和欠压要求。

    此致、
    Eric
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    尊敬的 Eric:

    我得到了您的观点、并消除了我的疑虑。

    我还有一个查询

    PMP8878中电容器 C2 (2.2uF、50V)的用途是什么?

    此致

    Aneesh

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    Aneesh

    C2用于此全桥电压模式转换器中的直流磁通阻断、主要是在每个半开关周期之间平衡伏秒、以避免变压器饱和。 由于开关脉冲宽度差异以及外部参数差异(例如与 MOSFET 的栅极阈值等)、每个半开关周期的现实情况不对称、因此需要该电容

    此致、
    Eric
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    尊敬的 Eric:

    感谢您的宝贵答复。 我了解了 PMP8878中 C2电容器的功能。 但我对此还有一些疑问。

    C2与 初级串联、C2需要承载大约4.5A (4.5=12*15/40)的整个初级电流。 1210封装电容器用作 C2、这样一个小型封装能够承载如此大的电流(大约4.5A)

    2. C2电容器的设计公式是什么,C2考虑了多少降额?

    3.为什么在 PMP8877砖型模块设计中不使用这样一个串联电容器?  PMP8877也是基于全桥的转换器。

    此致

    Aneesh

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    1.是的、1210可以与该电流一起使用、您可以查看 MLCC 电容器规格了解这一点。 数十年来、我们的实践以及众多的工业实践都证明了这一点。

    2、很简单、只需根据开关频率计算 C2阻抗、以确保回路流动电流时阻抗与其他总阻抗相比足够小、其中主要是在相同开关频率下的变压器一次侧磁化电感阻抗。

    PMP8877基于 UCD3138、可通过编程实现伏秒平衡。 UCC28250没有此功能。
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    尊敬的洪黄:

    感谢您的宝贵答复。  

    由于 BOM 中不提供 C2的器件型号、您能否告诉我 C2 (2.2u/50V 1210)电容器的均方根电流额定值。

    2.您还可以与我分享变压器 T2和电感器 L2的核心器件型号吗?

    此致

    Aneesh

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    GRM32ER72A225KA35或类似产品。 对于 MLCC、实际上没有电流规格、但需要考虑 MLCC 的自发热。
    2. T2、RM6、3C97。
    L2、RM6、N87
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    尊敬的洪黄:

    感谢您分享器件型号。

    1.您是否有用于变压器 T2和电感器 L2的设计计算器? 我们不熟悉 PCB 绕线平面变压器设计。

    2、您能告诉我磁通密度和变压器总损耗的详细信息吗?

    此致
    Aneesh
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    我们没有平面变压器设计的计算器、因为对于 bobbin 变压器设计而言、它是相同的。 主要区别在于如何使用 PCB 布线来实现绕组、因此您需要进行计算以了解设计需要多少层和多少铜重量。 如果您不熟悉平面变压器的 PCB 绕组、一种学习方法是查看 PMP8878和 PMP8877的光绘文件-因此、您可以在需要的不同匝数下按照这些步骤操作。

    对于初始设计、通量密度总体< 300mT、但每个设计都需要进行微调以满足规格要求。 如果您想复制此设计、需要42uH 的初级电感。 总损耗可根据核心规格进行估算。 该设计中使用的材料是当时最好的。 我们并没有特别地估算功率损耗。 一种实用的方法是测试多种先进的材料、以查看哪种材料更好、因为通常、核心供应商只使用正弦波来生成与 PWM 不同的数据表。  

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    e2e.ti.com/.../PMP8878-Transformer-Flux-density-and-temperature-rise.docxDear黄宏、

    我刚刚反向计算了 PMP8878 T2的磁通密度和温升。

    磁通密度为0.405T,磁芯温升为67.2度。

    此计算结果是否正确?

    请找到所附的计算文档、如果计算中有任何错误、请更正我。

    此致

    Aneesh

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    磁通密度为0.405T/2 = 0.2025T。 0.405T 是峰间磁通、但0.405T 在第1象限至第3象限内变化、因此磁通密度是该总 Δ 值的一半、因为这是一个全桥转换器。

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    尊敬的洪黄:

    感谢您宝贵的时间和回复。 我理解您的观点。

    温度上升计算会怎么样? 温度上升是否为67.2度?

    此致
    Aneesh
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    是的、没错。 但请注意、这是针对 T=100C 的情况。 通常在这种类型的设计中、需要进行热降额以实现包括温升在内的合理运行。

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    尊敬的洪黄:

    感谢您的持续支持、我有一个关于此主题的最后一个问题。
    通常、对于变压器、我们必须采用铜损耗和磁芯损耗来计算温升、但我在 PMP8878中仅采用磁芯损耗来计算温升。 由于我们的变压器在 PCB 上有绕组、因此我认为无需计算铜损耗。 这是正确的吗?

    此致
    Aneesh
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    您所做的温度计算基于 T = 100C 时的内核功率损耗的假设。 PCB 绕组设计会针对功率损耗产生不同的温度 T、因此您需要了解 T 才能估算磁芯损耗、T 包括 PCB 布线温度上升。
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    尊敬的先生:

    感谢您的宝贵反馈。

    此致

    Aneesh