[参考译文] TPS25921L 的过流保护

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主题中讨论的其他器件：TPS25921L

我们有关于 TPS25921L 的问题。

问题1.

请告诉我们从电流达到 ILIM 阈值到关断所需的时间。

问题2.

请告诉我们过流检测的精度。

除外部电阻器外、器件之间的过流检测有何变化。

此致、

西泽高郎

over 5 years ago

0 admin over 5 years ago

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你好、Takahiro、

在过载情况下、内部限流放大器将输出电流调节至 ILIMIT。电流限制调节期间的输出电压下降、导致器件中的功率耗散增加。如果器件结温达到热关断阈值(T (TSD))、则内部 FET 关闭。

功率耗散量取决于负载电流和输出电容。一旦您知道 FET 上的功率耗散、就可以使用下图来确定热关断之前的时间。

电气特性表中提到了不同电阻器设置在整个温度范围和器件范围内的电流限制阈值变化、如下所示：

0 admin over 5 years ago

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感谢您的回答！

我们对 T (fastrip) 3µS 有新的问题。

3µS 是指从 Ifastrip 达到阈值到关断的时间吗？
或仅以3µS μ A 为单位降低电流？

此致、
西泽高郎

0 admin over 5 years ago

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你好、Takahiro、

从下图中可以看到、T (fastrip)是从 Ifastrip 阈值到关断的时间。

0 admin over 5 years ago

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感谢您的回答！

这些理解是否正确？

ILIM：电流超过 ILIM 的阈值，IC 保持电流恒定并降低电压。
但当功率耗散增加时、温度会升高。
和温度超过热关断阈值。 IC 关闭。

Ifastrip：电流超出 Ifastrip 的阈值，
IC 以3µS μ s 的时间关断。

此致、
西泽高郎

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你好、Takahiro、

您回答正确！

ILIM：当电流超过 ILIM 的阈值时、IC 保持电流恒定、并且由于不满足负载电流要求、输出电压降低。输出电压的这种下降会增加 FET 两端产生的电压。现在、FET 上有电压、电流流过 FET。这会增加 FET 中的功率耗散。
当 FET 温度超过热关断阈值时、IC 关断。

Ifastrip：当电流3µS Ifastrip 的阈值时，IC 将以 μ A 为单位关断。

0 admin over 5 years ago

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你好、Takahiro、

希望我已经回答了您的问题。如果您没有更多问题、我们可以关闭此主题吗？

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