This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD19532KTT:如何在 MOSFET 关断时抑制电压尖峰和振荡?

Guru**** 1139930 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1020, CSD19532KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/803581/csd19532ktt-how-to-suppress-the-voltage-spike-and-oscillation-when-mosfet-is-turned-off

器件型号:CSD19532KTT
主题中讨论的其他器件:LMG1020

大家好、提前感谢您的帮助。

我使用 LMG1020来驱动 CSD19532KTT、电路如下。 LMG1020 OUTH 和 OUTL 处的栅极电阻器为0欧姆。  

VDS (漏源电压)是针对外部负载输出的、而我面临的问题是   MOSFET CSD19532KTT 关断时 VDS 的电压尖峰和振荡。 振荡的峰值电压过高、导致 MOSFET 损坏。

我应该如何抑制电压尖峰和振荡?  

再次感谢您的导游!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Hongwei、
    感谢您的查询。 您能否也提供栅源波形? 原理图显示 LM1020的电源电压仅为5V。 CSD19532KTT RDS (ON)的额定 VGS 最小为6V。 我们不建议在 VGS < 6V 的情况下运行 FET、因为我们无法保证 RDS (on)。 从数据表第1页的 RDS (on)与 VGS 曲线可以看出、当 VGS < 6V 时、导通电阻呈指数级增加。 VDS 上的下冲看起来像是由寄生电感和开关速度造成的(即 V = LDI/dt)。 您是否在非常靠近 FET 的位置有足够的从 VCC 到 GND 的去耦电容? 此外、您需要仔细地对 PCB 进行布局、以最大限度地减小漏源和栅源环路中的寄生电感。 请参阅此应用手册 :www.ti.com/.../slpa010.pdf。 它与同步降压转换器更相关、但许多技术适用于您的应用。 您可能还需要添加一个小型栅极电阻器来降低 FET 的关断速度。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的盛情款待。

    是的、LMG1020的电源电压仅为5V、因为数据表第8页上 LMG1020的最大电源电压为5.25V。 栅源波形为5V 电压、占空比为20%。 Vgs 确实会影响 RDS (on)、但这是否是电压尖峰的原因之一? 如果是、我应该如何改进 Vgs?

    再次感谢您的帮助!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Hongwei、
    VGS 电源电压对 FET 的 VDS 下冲影响很小或没有影响。 这主要是由于 MOSFET 和 PCB 寄生效应以及快速开关速度。 您是否可以尝试在 OUTL 上添加一个小值(<10欧姆)的栅极电阻器来减慢 FET 的关断速度? 您还应确保您的示波器探头 GND 引线尽可能短。 大多数示波器探头的"尾纤"接地引线过长、环路易受噪声拾取的影响。 最后、D2PAK 对源连接使用键合线、这会增加寄生电感。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的建议!
    这对我有很大帮助。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    洪伟
    查看栅极-源极波形也可能会有所帮助。