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器件型号：TLV755P 大家好、
在 °数据表上的热数据后、热增强型 DRV 封装的 RθJB Ω 结至电路板热阻具有与5引线 DBV 封装(64.3 C/W)相同的值。 这是错误吗？ 对于采用 PowerPAD 与鸥翼形引线的器件、我预计从结点到电路板的上升幅度会小得多。
非常感谢您的意见。
此致、
Renan
大家好、
在 °数据表上的热数据后、热增强型 DRV 封装的 RθJB Ω 结至电路板热阻具有与5引线 DBV 封装(64.3 C/W)相同的值。 这是错误吗？ 对于采用 PowerPAD 与鸥翼形引线的器件、我预计从结点到电路板的上升幅度会小得多。
非常感谢您的意见。
此致、
Renan
