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[参考译文] TLV755P:帮助解决热关断问题

Guru**** 2507255 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV755P

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/788661/tlv755p-help-solving-a-thermal-shut-down-problem

器件型号:TLV755P

您好、支持团队

我的客户在 50°C 的测试过程中看到 TLV755P 关断。

我们99%的人肯定这是一个热问题、但我们需要凭经验证明这是事实。

需要使用 Theta 和 psi 信息来证明芯片温度将会升高的帮助。

问题的一部分是器件太小、我们如何测量/我们测量什么?

我将发送一封包含原理图和布局的电子邮件

此致

Jeff Coletti

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Jeff:

    热关断在示波器上具有特定的特征。 请提供显示输入电压、输出电压和输出电流的多通道范围热图。 如果使用电子负载进行测试、Iout 尤其重要。

    对于热计算、第一步是计算耗散的功率、以便使用任何热指标。 请提供 Vin、Vout 和 Iout 以计算 LDO 中的功率耗散。 我们还需要了解您使用的 TLV755P 封装。

    Theta 指标会随电路板布局而变化。 因此、当您有电路板布局时、不建议使用它们。 如果您要使用 Theta 指标、最简单的方法可能是使用 Rtheta_ja 来估算结温、因为您只需要测量环境温度(您已经完成了)。

    TJ = PD x Rtheta_ja + Ta
    TJ =(Vin - Vout) x Iout x Rtheta_ja + Ta

    请记住、数据表中的热性能信息表是在 JEDEC Hi-k 板上建模的。 您的特定布局将影响应用中的热性能、如以下应用手册中所述。

    www.ti.com/.../slvae85.pdf

    为了使用 Ψ 热指标、您需要测量电路板温度或外壳顶部的温度。 通常可以使用热电偶测量外壳顶部。 此时、您可以使用来计算结温:

    TJ = PD x psi_jt + ttop_for_case
    TJ =(Vin - Vout) x Iout x psi_jt + ttop_for_case

    非常尊重、
    Ryan
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Jeff:

    由于这已经是一周没有回复、我假设这个主题已解决。 如果不正确、请随时再次发布。

    非常尊重、
    Ryan