[参考译文] BQ77915：原理图评估

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Other Parts Discussed in Thread: BQ77915, BQ24715, CSD17308Q3

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器件型号：BQ77915
主题中讨论的其他器件： BQ24715、 CSD17308Q3

你(们)好

您能否检查以下各项的原理图

我有一个 NCR18650的3s2p 配置。我已将 BQ77915用作 BMS、将 BQ24715用作充电器 IC

充电电流3.2A
充电电压 12.675V
过充电电压12.9V
过放电电压为8.7V

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2506205 points

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您好、Harini、

我支持 BQ77915、该部分原理图中的所有内容看起来都很好！如果您还有任何问题、请告诉我！

您是否希望我们的充电器团队成员查看 BQ24715部分？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2506205 points

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你(们)好、Shawn

感谢您查看 Bq77915。

我想让充电器团队审查 bq24715。

谢谢

此致

B. Harini Krishna

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2506205 points

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您好、Harini、

我看不到原理图有任何明显的错误。我建议如下：

在降压 FET (Q2D1至 Q2S2)上额外添加10uF 和0.1uF。

2.确认 Q2在一个封装中具有高侧和低侧 FET、可以处理功率耗散。第30页和第31页上的数据表公式8和12可以提供帮助。我找不到该 FET 的数据表。

此致、

Jeff

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2506205 points

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您好 Jeff

感谢您的建议

根据3.2A 充电电流的计算、高侧 FET 的功率耗散为1.25W、低侧 FET 的功率耗散为0.071W、FET 在绝对最大额定值下的功率耗散为2.5W

适配器到负载的负载电流为7A。高侧 FET 的功耗为2.37W。我们可以使用散热器吗？

根据 TI 在 bq247715数据表中建议的 FET、FET CSD17308Q3 的功率耗散为2.21W (对于7A)。

低侧和高侧的两个 FET 是否可以不同、或者它们需要相同(在额定值方面)？

散热器是否是现有 FET (AP3020)的更好选择？

请就此提出建议吗？

谢谢你

此致

Harini Krishna

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2506205 points

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您好、Harini、

除非双 FET 设计用于顶部散热器、否则我怀疑它是否有效。大多数客户为降压高侧和低侧 FET 使用两个独立的相同 FET、以便在 PCB 上分配热损耗。 FET 不必相同、但应具有相似的栅极电荷和导通/关断时间。

此致、

Jeff

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2506205 points

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您好 Jeff

感谢您的建议。它提供了很多帮助

此致

Harini Krishna

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