您好、 Post
我使用非稳压 ISO 转换器为 TPS7A49器件供电。
该器件在空载时将从16.5V 标称值大幅漂移、几乎达到40V。 这超出了最大数据表 Vin 与 GND 之间的关系、但仅在 LDO 被禁用或与负载断开时发生(不是最终产品的实际用例)、因此仅在工作台上进行调试时才会出现。
如果器件被禁用、这会有多大的损坏?
如果器件已启用但无负载、这有多大的损坏?
优选一个还是优选另一个?
如果在室温与冷/热之间发生这种情况、那么温度是否会更好/更差?
我能期待什么?
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您好、 Post
我使用非稳压 ISO 转换器为 TPS7A49器件供电。
该器件在空载时将从16.5V 标称值大幅漂移、几乎达到40V。 这超出了最大数据表 Vin 与 GND 之间的关系、但仅在 LDO 被禁用或与负载断开时发生(不是最终产品的实际用例)、因此仅在工作台上进行调试时才会出现。
如果器件被禁用、这会有多大的损坏?
如果器件已启用但无负载、这有多大的损坏?
优选一个还是优选另一个?
如果在室温与冷/热之间发生这种情况、那么温度是否会更好/更差?
我能期待什么?
尊敬的 Andrew:
通常为内部 FET 的栅极电压指定绝对最大值、因此我想故障将是栅极氧化物击穿。 当电压略高于绝对最大值时、并不是每个器件都会发生故障、但确实并非每个器件都能够正常工作。 如果器件因该过压而受损、它将不再按预期工作。 在这种情况下、如果器件在无负载情况下被禁用和启用、则损坏情况不会有所不同、因为它只需要电压而不是电流就会损坏 FET 的栅极氧化层。
关于温度与击穿电压的相关性、我们实际上没有分享指导。
此致、
Nick