您好!
我正在开发具有 GaN 晶体管的高开关频率升压转换器。 我想知道该部件是否可以驱动 GaN 晶体管而不是 MOSFET。
此外、我想知道该器件是否能够控制降压/升压的反相输出、或者是否有办法克服此障碍。
此致、
弗朗西斯科·拉苏里克
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您好、Francisco、
感谢您发帖。 您考虑什么拓扑、您谈论的是哪种 GaN FET? 您是否注意到 TPS43000将 PFET 用于高侧、将 NFET 用于低侧? 您是否具有目标高侧和低侧 GaN FET 器件型号? 您还可以咨询 GaN 供应商以了解有关栅极驱动器的要求、并查看 TPS43000驱动器是否兼容。
GaN FET
谢谢、
Youhao
您好!
我正在尝试实现异步升压拓扑。 以下链接与我将使用的 GaN 相关。 https://gansystems.com/wp-content/uploads/2018/02/GS66502B-DS-Rev-180213.pdf。
非常感谢您的所有帮助。 任何建议都将得到很好的接受。
对于异步升压、应该可以驱动类似这样的 GaN FET、但必须小心确保栅极驱动电压不会高于 GaN FET 可以承受的电压(大约6V)。 当输入电压和输出电压均高于3.6V 时、NDRV 电压将是输入电压和输出电压(对于升压转换器、输入电压为 Vin)中较小的一个。 因此、您需要确保输入电压始终保持在4-5.5V 范围内。
开关性能可能不如专用 GaN 栅极驱动器好、但根据工作频率、它可能是可以接受的。
此外、TI 还请停止使用假装 GaN 系统不存在的愚蠢行为。。