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[参考译文] TPS40210:差异与网络设计

Guru**** 652440 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40210, CSD18543Q3A, CSD18542KTT
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/781954/tps40210-difference-vs-webdesign

器件型号:TPS40210
主题中讨论的其他器件: CSD18543Q3ACSD18542KTT

您好!

我使用网络设计中的以下设计(我不知道链接是否有效)

webench.ti.com/.../SDP.cgi

少数几个值略有不同(对于标准化值)

我遇到了从该设计中获取足够电流的问题。 电流参数是为1.5A 选择的、在看到电压下降之前、我几乎无法获得超过100mA 的电流(使用电压表和 LED 来检查是否存在48V 电压、当调节开始时、电流开始闪烁以停止工作)。

我使用电阻负载进行测试、使用100欧姆电阻可以清楚地看到问题。

我认为我的电源不是靠近芯片、这是主要原因、但在初始 Cin 附近添加47µF μ F 并不能改善结果。

所有组件都集中在一个小区域中。

感谢你的帮助。

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    您好、Cedric、

    Webench 链接正常工作。 感谢您使用 TPS40210进行设计。 我知道您的最终电路板基于 Webench 设计。 您能否分享您用于设计自己 PCB 的最终原理图? 请确保准确标记器件值或器件型号。


    谢谢、
    应用工程学 Yohao Xi。
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    您好、Youhao、

    请查看随附的此功能原理图图片。

    谢谢你。

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    我认为 D45阴极+和 Cout 之间缺少连接、我检查这一点并报告是否已解决。
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    没有缺失的交叉点、问题来自其他方面。
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    部件 制造商 器件型号 已安装 数量 mm²(μ m) 说明
    Cbyp 太阳诱电 GMK212BJ474KG-T CGA4J3X7S2A474M125AE 1 6.75 电容:470nF 总降额电容:470nF VDC:35V ESR:1 mΩ 封装:0805
    Ccomp2 三星电子机械公司 CL21C181JBANNNC GRM2165C1H181JA01D 1 6.75 电容:180pF 总降额电容:180pF VDC:50V ESR:0 Ω 封装:0805
    Ciflt 三星电子机械公司 CL21C181JBANNNC GRM2165C1H181JA01D 1 6.75 电容:180pF 总降额电容:180pF VDC:50V ESR:0 Ω 封装:0805
    COUT 松下 63SXV33M 63SXV33M 1 106.09. 电容:µF μ F mΩ 降额电容:µF μ F VDC:63V ESR:25 μ F 封装:8x11.9
    CSS Murata GRM155R71A273KA01D GRM2191X1H273JA01D 1 3. 电容:27nF 总降额电容:27nF VDC:10V ESR:1 mΩ 封装:0402
    L1 Coilcraft MSS1210-333MEB MSS1210-333MEB 1 204.49. L:µH μ H DCR:mΩ μ H IDC:5.9A
    Rcomp Yageo RC0201FR-0718K7L CRCW080518K7FKEA 1 2.08 电阻:18.7k kΩ Ω 容差:1.0%功耗:50mW
    Riflt 松下 ERJ-6ENF1001V CRG0805F1K0 1 6.75 电阻:1 kΩ 容差:1.0%功耗:125mW
    Rsense Stackpole Electronics Inc CSR1206FK20L0 TLM3ADR020FTE 1 10.92 电阻:20 mΩ 容差:1.0%功耗:500mW
    CBP KEMET C0805C105K4RACTU C0805C105K4RACTU 1 6.75 电容:1 μ F µF 降额电容:1 μ F VDC:16V ESR:µF mΩ μ F 封装:0805
    比较器 TDK CGA4C2C0G1H103J060AA 08055C103KAT2A 1 6.75 电容:10nF 总降额电容:10nF VDC:50V ESR:0 Ω 封装:0805
    Cin TDK C2012X5R1H335K125AB C2012X5R1H335K125AB 2. 6.75 电容:3.3 μ F µF 降额电容:3.3 μ F VDC:50V ESR:2.8 µF mΩ 封装:0805
    CRC 三星电子机械公司 CL21C910JBANNNC CC0805JRNP09BN101 1 6.75 电容:91pF 总降额电容:91pF VDC:50V ESR:0 Ω 封装:0805
    D1 SMC 二极管解决方案 SK220ATR RS2D R5 1 37.34. 类型:肖特基 VRRM:200V IO:2A
    M1 应用工程师 CSD18543Q3A CSD18542KTT 1 18.49. VdsMax:60V IdsMax:35A
    RG Vishay-Dale CRCW040219R1FKED CRG0805F10R 1 3. 电阻:19.1 Ω 容差:1.0%功耗:63mW
    RRC 松下 ERJ-6ENF3163V ERA6AEB3163V 1 6.75 电阻:316 kΩ 容差:1.0%功耗:125mW
    U1 应用工程师 TPS40210DGQR TPS40210DGQ 1 23.6.
    Rfb1. Vishay-Dale CRCW0402825RFKED ERA6AEB8250V 1 3. 电阻:825 Ω 容差:1.0%功耗:63mW
    Rfb2. 苏苏苏木股份有限公司 RR1220P-563-D RK73H2ATTD5602F 1 6.75 电阻:56 kΩ 容差:0.5%功耗:100mW
    Coutx TDK C3216X7R2A105K160AA C3216X7R2A105K160AA 1 10.92 电容:1 μ F µF µF mΩ 降额电容:1 μ F VDC:100V ESR:4.58 μ F 封装:1206_180

    黄色表示安装在我的设计上且与左侧不同的器件(主要是尺寸0805、而不是0603、0402或标准化值)

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     下面是470欧姆负载(100mA)的曲线

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    您好、Cedric、

    Youhao 已离开办公室、将于下周二返回。 然后他将能够支持您的问题。

    谢谢、

    Garrett
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    图层视图

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    使用不同的 MOSFET (RDSon 和 Cgate 也是)时、我怀疑 SW IPK 高于 Isense 触发器值并被切断(当 MOSFET 关断足够长时、绿色曲线为24V、我们可以在新的开关关闭之前看到一些启动序列、并持续重复)

    因为在初始仿真的图表中、我们可以看到 SW IPK 的最大值为3.5A。

    计算此 SW IPK 的公式是什么?

    在下面的曲线上、我们可以看到 Rsense 两端的电压(在低通滤波器连接到 TPS40210的 ISNS 引脚之前)以蓝色显示

    粉色的电流是使用钳位电流表在我的48V 输出上流经470R 负载的电流。

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    对这个问题有什么想法?

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    您好、Cedric、

    数据表的公式16可用于计算开关峰值电流。 分母中的项是峰值电流公式。

    在3月13日发布的帖子中、绿色曲线到底是什么? 输出电压?

    在3月19日发布的帖子中、迹线3 (蓝色)接近2V。 它不能是电流感应信号、因为它远远超过峰值电流限制(典型值150mV)、电路将触发断续模式。 此外、您的电阻仅为20m Ω、2V 意味着100A。 请您确认吗?

    谢谢、
    Youhao
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    3月13日的绿色曲线是48V 输出(当电压降至24V 时、您的最大值与振幅之比、M1关闭)
    蓝色是感测电压(但我不记得它是在 Risns 引脚上还是在 ISNS 引脚上的低通滤波器后面)。 粉色的是输出上470阻性负载上的电流、使用钳位电流探针进行测量。

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    根据等式16、如果 Iout = 500mA、我发现 Rsense 为0.107欧姆、而 Iout = 1.5A、则为0.043欧姆。

    这是否意味着我的 Rsense 太低、以至于它使 TPS40210跳闸?

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    电阻越高、跳变电流限制就越容易、但不能越容易。 如果您的感应电阻器为0.107、则波形显示的电流远高于0.5A。 您能否仔细检查感应电阻器值、并确保其真正为20m Ω? 您的波形在电流感应迹线上几乎显示为2V。
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    我确定电阻器上的标记为 R020。

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    因此、请重新测量感应电阻器的电压波形。 您之前的示波器图片显示2V、这毫无意义。 只需验证情况是否确实如此。 如果仍然是2V、请检查焊接和连接。

    谢谢、
    Youhao
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    您好、Cedric、

    有更新吗? 我是否可以假设问题已解决? 如果几天内没有活动、我们需要关闭该主题。 您始终可以通过新帖子重新打开它。

    谢谢、
    Youhao
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    您好、Youhao、

    不、这个问题没有解决、我不得不在几天的时间里处理另一个项目。

    检测电阻正确、直接在检测电阻上进行测量

    始终有一个电流流流过0.02R 电阻器、即使在48V 输出时没有负载电阻器、下图也是如此。

    这是正常的吗?

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    查看附加图片的上一篇文章。
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    在更多的 PICS 下方、除了 Vsense (粉色)外、MOSFET 的 VGS 还呈橙色(始终无负载)。

    更近的视图。

    更近的视图

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    我看到您的电流感应引脚上有很多噪声。 Ciflt 接地引脚位于错误位置。 请将 Ciflt 直接放置在 ISNS 和 GND 引脚上。 目前、您的 Ciflt 与电流感应电阻器位于同一多边形上。 另请参阅我们的 EVM 布局示例。 Ciflt 接地垫远离 IC GND 引脚。
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    您好!

    请参阅随附的 Ciflt 和 TPS40210之间小于1cm 的图片、很难接近。

    您是否认为布局是电路无法正常工作的唯一原因? (即使在0.1A 范围内)?

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    Hi 曲线记录在 Rsense (不是通过低值带滤波器的 ISNS 引脚)
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    与 EVM 类似的器件下方。

    芯片电容仅翻转180°、但位置相似、GND (在图片上不可见)以相同的方式连接到感应电阻器。

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    您好!

    下面是一些直接记录到 ISNS 引脚的屏幕。

    附录1:无负载 ISNS 电压

    附录2:无负载 ISNS 电压特写

    附录3:空载 ISNS 电压再次接近

    附录4:空载 ISNS 电压再次接近

    附录5:无负载 ISNS 电压闭合

    附件6:470R 负载 ISNS 电压(输出切断开始)

    附录7:470R 负载 ISNS 电压(更近视图)

    附录8:470R 负载 ISNS 电压(更近视图)

    附录8:470R 负载 ISNS 电压(更近视图)

    ISNS 引脚上的电压可达到150mV,但如何限制这一点?

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    您好!
    现在、负责的工程师已经离开了。 我们将在2012年4月之前答复。
    此致、
    EL
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    你(们)好、好的

    为什么 EVM 的 SS 引脚上有任何附加电阻器(R3)?

    我在数据表中看不到这方面的解释。

    此致。

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    你(们)好
    现在、负责的工程师已经离开了。 您很快就能得到回复。
    此致、
    EL
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    大家好、感谢工程师的帮助。

    这是我们 PCB 上最后一个不起作用的函数。

    此致。

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    你(们)好
    负责的工程师现在仍然不在办公室。 他将在4月23日之前答复。
    R3电阻器的主要用途是最大程度地减小从"启动上升"到"启动开关"的启动延迟
    此致
    EL
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    大家好、我通过更改肖特基二极管做了一些改进。

    上一个具有1.5V 正向压降、我更改了0.85V 正向压降。

    它能否解释在反馈电压位于肖特基二极管后面时的不稳定情况?

    此时、我可能会灌入接近250mA 的电流、我必须执行其他测试、并检查是否可以在保持稳定的同时灌入更多电流、而不是对过流保护进行三重测试。

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    大家好、问题似乎已解决、但如果可能、我希望应用工程师对我的最后一个问题提供反馈。

    此致。