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[参考译文] LMG3411R050:将单个 PWM 信号可靠地分离为两个互补 PWM 信号、并为 GaN FET 半桥(600V)提供死区时间

Guru**** 679710 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/785769/lmg3411r050-reliably-splitting-a-single-pwm-signal-into-two-complementary-pwm-signals-with-dead-time-for-gan-fet-half-bridge-600v

器件型号:LMG3411R050
主题中讨论的其他器件:LMG1210

您好!

我正在浏览 TI 网站上撰写的关于使用单个 PWM 来控制半桥配置中具有死区时间  的两个 GaN FET 的文章。

我还读出、当使用 RC 定时系统时、我们必须小心处理电容随温度和时间的下降。 一个示例

我的应用是家用电器、它将广泛投入生产。 尽管基于温度的降级对我来说不是一个问题(也就是说,系统的温度可能会在 内部上升到60摄氏度 )。

但是、我想知道、由于时间的推移而老化、实际上是否会导致死区时间逐渐退化而导致故障、并最终导致击穿事件。

我的问题汇总如下:

时间导致的老化对陶瓷电容器的影响有多严重、在设计此电路板时、我应该考虑这一点?

有没有其他可靠的方法可以实现 具有单个输入的互补 PWM?

到目前为止、TI 评估板在此设置中是如何完成的?

此致、

Tony  

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    您好、Tony、
    感谢您关注 LMG3411。 我是高功率驱动器组的一名应用工程师、可以帮助解决您的问题。

    您应该关注计时电路中电容器的老化效应、尤其是在使用高介电值(2级/ 3级)电容器时。 您链接的文章介绍了这些类型电容器的老化特性以及它们如何以对数刻度降级。 但它在第4段中确实指出、温度补偿电容器没有老化特性。 最常见的温度补偿电容器是 C0G/NP0类型。

    我们强烈建议您将这些1类(C0G/NP0)电介质电容器用于这些敏感的计时电路。 这些电容器应受到温度漂移和老化漂移的影响最小、并应允许对您的系统进行调优、以实现最短的死区时间。 它们不应随时间、温度或偏置的变化而显著变化。 如果需要更多的置信度、建议执行 RMS 容差分析。

    我个人还没有见过任何其他简单可靠的方法来通过单个 PWM 生成互补信号、并实现精确的死区时间控制。

    明天我将向团队介绍任何其他方法以及其他 EVM 如何完成此任务。

    如果这有助于回答您的问题、您可以按下绿色按钮吗? 如果没有、请随时回答进一步的问题。

    谢谢、此致、
    John
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    尊敬的 John:

    感谢您的回复。 这确实有帮助。

    如果您可以了解使用此配置时 evals 如何随着时间的推移而执行、以及是否有任何其他实施方式会更好!  

    此致、

    Tony

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    您好、Tony、

    如果您需要固定(或可调)死区时间、请考虑使用栅极驱动器 LMG1210 (无集成 FET)。 LMG1210具有内部死区时间电路、可在 PWM 引脚变为高电平时输入单个输入(使用 PWM 引脚)并输出高侧 HO 输出。 当 PWM 引脚变为低电平时、低侧将自动输出具有相应高到低死区时间的 LO。 通过将一个低容差电阻器接地、DHL/DLH 引脚可将高至低和低至高的死区时间控制为非常精确的值。 EN 引脚可用于使器件 EN。 死区时间可在0.5ns 至20ns 之间进行编程、分别为1.8Mohm 至20kohm。
    如果您有任何疑问、请告诉我!

    谢谢、
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    您好、Jeffery、

    我看到驱动器的电压为200V。 高电压是否有任何变体?

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    您好、Tony、

    目前没有任何高电压型号。

    谢谢、