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器件型号：LMG3411R050 主题中讨论的其他器件：LMG1210
您好！
我正在浏览 TI 网站上撰写的关于使用单个 PWM 来控制半桥配置中具有死区时间 的两个 GaN FET 的文章。
我还读出、当使用 RC 定时系统时、我们必须小心处理电容随温度和时间的下降。 一个示例
我的应用是家用电器、它将广泛投入生产。 尽管基于温度的降级对我来说不是一个问题(也就是说，系统的温度可能会在 内部上升到60摄氏度 )。
但是、我想知道、由于时间的推移而老化、实际上是否会导致死区时间逐渐退化而导致故障、并最终导致击穿事件。
我的问题汇总如下：
时间导致的老化对陶瓷电容器的影响有多严重、在设计此电路板时、我应该考虑这一点？
有没有其他可靠的方法可以实现 具有单个输入的互补 PWM？
到目前为止、TI 评估板在此设置中是如何完成的？
此致、
Tony
