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[参考译文] BQ76952:有关 BQ76952的一些问题

Guru**** 2460850 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173332/bq76952-some-question-about-bq76952

器件型号:BQ76952

尊敬的专家

我们发现以下问题需要帮助回答:
1、预放电逻辑延迟是不可控的。 当预放电打开时、一次放电将等待240ms。 有时、在预放电关闭之前、一次放电不会打开。 这是因为当前的 I2C 通信速率似乎是相关的。
2. RTC 复位初始时间。 睡眠测试后、发现 RTC 时间有时会重置为上次备份时间、即时间自然不准确、这可能与 IIC 通信和 RTC 策略有关。
3.平衡已长时间关闭。 平衡导通后、接近平衡的时间超过2S、测得的时间为2.5S。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Gabriel、

    1、预放电逻辑延迟是不可控的。 当预放电打开时、一次放电将等待240ms。 有时、在预放电关闭之前、一次放电不会打开。 这是因为当前的 I2C 通信速率似乎是相关的。
    在 PDSG 之后、DSG 引脚启用的持续时间取决于 PDSG 设置。 我不认为它应该等待240ms。 但我不明白这里的问题是什么。

    2. RTC 复位初始时间。 睡眠测试后、发现 RTC 时间有时会重置为上次备份时间、即时间自然不准确、这可能与 IIC 通信和 RTC 策略有关。
    我不太理解这个问题。 您能澄清一下吗?

    3.平衡已长时间关闭。 平衡导通后、接近平衡的时间超过2S、测得的时间为2.5S。
    这是一个问题还是一个陈述? 问题是什么?

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis

    BQ7695202PFBR 芯片我们的核心问题是:
    1、芯片的 I2C 通信要获取电压、电流、温度和其他信息、通信故障率很高。
    2.通信故障会导致重复通信并增加底层交互的延迟。
    3、通信故障会导致较大的响应延时、MOS 开关和其它动作的不确定性增加。
    4.在均衡开始期间获得的单节电池的电压波动很大。
    5.停止平衡的响应时间过慢。

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    您好 Gabriel、

    您能否准确描述您看到的通信故障? 您是否有任何示例或逻辑分析仪图像? 您的 MCU 是否支持时钟扩展?  

    您能否分享您的原理图以便我进行审阅? 如果您在电池平衡期间获得不准确的电池测量值、则输入滤波器的时间常数可能太大、因此可能需要减小。

    此 e2e 线程可能会回答有关电池平衡时序的一些问题: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967073/bq76952-bq76952-cell-balancing-questions

    但简而言之、平衡时间取决于您的配置、如果您可以共享.gg 文件、我将能够看到您选择的内容。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis

    1) 1)请提供 MOS 从关到开放电的延迟数据;

    2) 2)我们使用了放电控制引脚、或者通过通信命令进行了芯片输出放电 MOS 控制、但是有一个较大的延时时间。 这种延迟不符合我们的实际应用要求;
    芯片 MOS 信号驱动器输出到实际 MOS 驱动器的通信影响和延迟已经被排除。


    3)已连接 DFETOFF 控制放电 MOS 波形、可通过 DSView 软件查看;e2e.ti.com/.../2626.Waveform.zip

    e2e.ti.com/.../BQ7695202_2D00_SCH-Protel-Schematic.pdf

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    您好 Gabriel、

    1) 1)请提供 MOS 从关到开放电的延迟数据;
    从关断到开最长可能需要250ms。 该器件将确定是否每250ms 让其导通一次 FET。  技术参考手册的第6.9节"器件事件时序"中对此进行了介绍。

    2) 2)我们使用了放电控制引脚、或者通过通信命令进行了芯片输出放电 MOS 控制、但是有一个较大的延时时间。 这个延迟不符合我们的实际应用要求;芯片 MOS 信号驱动器输出到实际 MOS 驱动器的通信影响和延迟已经被排除。
    该延迟是否仅在开通期间? 如果是、则是由于上述原因。 如果使用命令或取消 DFETOFF 置位、则需要高达250ms 的时间才能开启 FET。  

    原理图对我来说看起来很好。 建议 C38/C39等 ESD 组件绕过 MOSFET、因此从 CHG FET 的源极到 DSG FET 的源极。 您希望在组件周围创建一条低阻抗路径、以便 ESD 电流可以到达电池。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon