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器件型号:CSD19532KTT 大家好、TI E2E 社区的工程师!
我打算为我的器件生成高电流脉冲。 我已经研究过许多产品、我认为 N-MOSFET CSD19532KTTi 能够满足我的需求。 当 Tc=100℃时、CSD19532KTT 的 ID 可高达98A、来自其数据表。
但是、我不知道如何使用它。 我的问题是:
1.如何设计电路? 当 MOSFET 的电流高达100A 时、相同的电流流经其他 电阻负载、则其功率 可能远高于额定功率、从而导致电路损坏。 那么、如何实现它呢?
2.我是否可以参考任何设计指南或示例?
非常感谢您的友好和慷慨帮助!