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[参考译文] CSD19532KTT:如何使用 CSD19532KTT 生成高达~100A 的高电流?

Guru**** 1093020 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/816509/csd19532ktt-how-to-use-csd19532ktt-to-generate-high-current-up-to-100a

器件型号:CSD19532KTT

大家好、TI E2E 社区的工程师!

我打算为我的器件生成高电流脉冲。 我已经研究过许多产品、我认为 N-MOSFET CSD19532KTTi 能够满足我的需求。 当 Tc=100℃时、CSD19532KTT 的 ID 可高达98A、来自其数据表。  

但是、我不知道如何使用它。 我的问题是:

1.如何设计电路? 当 MOSFET 的电流高达100A 时、相同的电流流经其他 电阻负载、则其功率 可能远高于额定功率、从而导致电路损坏。 那么、如何实现它呢?

2.我是否可以参考任何设计指南或示例?

非常感谢您的友好和慷慨帮助!

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    洪伟潘您好!

    很高兴再次听到您的声音。 首先、请参阅以下有关连续电流和脉冲电流额定值的博客:  

    根据您希望如何控制电流和负载接地、有几种不同的电路实现方法。

    1. 高侧开关:在该实现中、FET 的漏极连接到输入电压、源极连接到负载。 FET 的栅极必须大于6V >输入电压、以确保 FET 导通。 该电流未进行调节、仅受 FET 导通电阻、寄生电阻和负载电阻的限制。
    2. 低侧开关:FET 源极接地、负载连接在输入电压和 FET 漏极之间。 由于源极接地、因此栅极可驱动至6V 或更高电压以导通 FET。 该电流未进行调节、仅受 FET 导通电阻、寄生电阻和负载电阻的限制。
    3. 闭环恒流源:电流感应电阻器与运算放大器配合使用、通过调制 FET 的栅源电压来调节电流。 如需更多信息、请参阅 e2e 帖子:

    如果您有其他问题、请查看并告知我。 如果您可以分享您的要求、这可能也会有所帮助。

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    洪伟潘您好!

    跟进、了解目前是否需要其他支持。 如果不是、我将在明天结束这个线程。

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    您好、Hongwei、

    再次感谢您关注 TI FET。 我将关闭该线程。