[参考译文] 需要找到合适的 N-MOSFET

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Other Parts Discussed in Thread: DRV8328, CSD17573Q5B, CSD18510Q5B, CSD18512Q5B, CSD18510KTT, CSD18540Q5B

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1177002/need-to-find-a-suitable-n-mosfet

主题中讨论的其他器件：DRV8328、 CSD17573Q5B、 CSD18510Q5B、 CSD18512Q5B、 CSD18510KTT、 CSD18540Q5B

大家好、

我想在这里找到一款适用于电动工具电机控制部件的新 N-Mos。

我想在此系统中使用 MCU+DRV8328+Mos。目标功率级别为18V/800W~1000W。

如果是具有小型封装和高效率（低 Rdson 的 MOSFET、则会更好)

您是否有任何合适的建议？

谢谢

简森

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好简森、

从 BLDC 的角度来看、在选择 MOSFET 时、我们的主要关注点是：

额定电压(VDS)：这应该能够考虑最大漏极电压、并有一定的安全空间。
漏极电流(ID)：适合预期的电机电流、以防止损坏。
Qgd：MOSFET 的上升/下降时间取决于 QGD。 Trise/Fall = QGD/Isource/Sink。
栅源阈值电压(VGS (TH))：驱动器的栅极驱动电压应能够导通 FET。

我们的 EVM 使用了 CSD18536KTTT。

我将让 FET 团队提供其他建议。

最棒的

Akshay

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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您好简森、

感谢您关注 TI FET。请参阅以下应用手册链接、其中包含 TI 所有 MOSFET 技术信息的链接。在"工具"部分、您将找到一个指向 BLDC 电机驱动 FET 选择工具的链接、该工具允许用户输入其系统要求并根据功率损耗、封装和1ku 价格比较多达3个 TI FET 解决方案。该工具还允许您使用并联 FET 来降低传导损耗、并在需要时将功率耗散分散到多个封装中。您可能希望在18V 输入下至少使用30V FET。我们针对此类应用的最低导通电阻30V FET 是采用5x6mm SON 封装的 CSD17573Q5B。 EVM 上使用的 FET 是采用 D2PAK 封装的40V 器件、成本更高且更大。如果需要40V 电压、则 CSD18510Q5B 是5x6mm SON 封装中的最低导通电阻。成本较低的40V FET 将是 CSD18512Q5B、但导通电阻和功率损耗更高。如果您有任何疑问、请告诉我。

https://www.ti.com/lit/an/slvafg3a/slvafg3a.pdf

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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尊敬的 John：

感谢您在这里的评论、

我检查了 CSD18510Q5B、但我发现连续漏极电流仅为42A。(RθJA = 40°C/W、在0.06英寸厚 FR4 PCB 上的1平方英寸、2盎司铜焊盘上)

我认为这是一个良好的冷却条件、我们无法在系统中实现如此良好的条件。您是否认为此 XX 会更小、因此无法满足我的系统要求。

您对此有什么意见？

谢谢！

简森

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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尊敬的简森：

如以下第一个链接中的博客所述、在 Tamb=25°C 且 Tj=150°C 且 Rθja =40°C/W 的条件下计算持续漏极电流。 PCB 和铜焊盘是我们测试所有 FET 的标准。我将在其中添加第二个链接、介绍 TI 如何测试和规范热阻抗。 Rθja 应用中的有效 Δ I 取决于 PCB 布局和层叠。通过在多层 PCB 上实现良好的布局、有效的 Rθja μ W 可降低至15°C/W 至20°C/W 我使用了 BLDC FET 选择工具(已连接)来估算 FET 功率损耗并提出 FET 建议。如第三个链接所示、具有良好布局的多层 PCB 上5x6mm SON 封装的最大功耗约为3W。 D2PAK 的功率约为4W。该工具显示 CSD18510Q5B 的估计功率损耗约为每个 FET 1.6W。 CSD18510KTT 在 D2PAK 中使用相同的 FET 裸片。如果您有任何疑问、请告诉我。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/selecting-the-right-power-mosfet-power-block-package-for-your-application

e2e.ti.com/.../MOTOR_2D00_DRIVE_2D00_FET_2D00_LOSS_2D00_CALC_5F00_Rev1.xlsm

谢谢、

John

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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尊敬的 John：

感谢您在这里的评论、

我想确保我的理解是正确的。在 CSD18510Q5B 数据表中、42A 在 Rθja = 40°C/W 时测得我想知道在42A 的情况下、FET 损耗为何接近3W？我想知道该测试中是否只有一层铜？
根据 Excel 电机控制计算、功率损耗约为1.6W、这意味着如果 Rθja = 40°C/W、则温升仅为64°C 对吗？
Rθja、我如何知道我绘制的 PCB 的 Δ I？

谢谢！

简森

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 649970 points

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尊敬的简森：

Rθja 了数据表中的最大功耗：PDmax =(TJmax - Tambb)/μ W =(150°C - 25°C)/(40°C/W)= 3.1W。这在高温下会降低。热阻(j-c 和 j-a)在标准单层电路板上测量、PCB 焊盘面积的最小值和最大值如数据表所示。是的、如果 Rθja = 40°C/W、那么 ΔTj = 1.6W x 40°C/W = 64°C 请通过以下链接查看 DRV8305EVM、了解使用 TI FET 并采用5x6mm SON 封装的 PCB 布局的良好示例。此 EVM 在三相 BLDC 电机驱动应用中使用 CSD18540Q5B 60V、1.8mΩ Ω N 沟道 FET。您可以通过下面的第二个链接下载设计文档。

https://www.ti.com/tool/BOOSTXL-DRV8305EVM

https://www.ti.com/lit/zip/slvc626

此致、

John

电源管理（参考译文帖）

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