• State Resolved
  • Locked Locked
  • Replies 6 replies
  • Subscribers 0 subscribers
  • Views 172 views
  • Users 0 members are here
Options
Options
Similar topics

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] WEBENCH®︎工具/TPS40304：如果 TPS40304外部组件也会在我们更改主要组件后发生变化？

admin
Guru**** 1952220 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40304, CSD16340Q3, CSD16323Q3, CSD17573Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/626621/webench-tools-tps40304-if-tps40304-external-component-will-also-change-after-we-change-key-component

器件型号：TPS40304
主题中讨论的其他器件： CSD16340Q3、 CSD16323Q3、 CSD17573Q5B

工具/软件：WEBENCHRegistered设计工具

你(们)好，先生  

我使用 TPS40304来运行12V 输入电压和1.2A/Iout 25A 输出电压。  

最初输出 的高侧 MOS (M1)为 CSD16340Q3、Rs 为3.32K Ω。

我将高侧 MOS 更改为 CSD16323Q3、Rs 仍然是3.32K Ω。

我使用数据表7.3.5、计算 Rs 应约为8K。 我们是否可以知道哪一项是正确的？

下面是我使用的一些参数。 Rs 用于可调节 OCP。 因此、我希望确保正确的内容。

CSD16323Q3 = 4.4m Ω(Vgs=4.5V)

IP-p = 25A * 0.3 = 7.5A  

                              令人很烦

  • 0
    TI__Guru**** 1952220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Bogey、

    我们将对此进行研究。 很快就会回来。

    此致、
    Mahantesh
  • 0
    TI__Guru**** 1952220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    很棒

    您的计算是正确的。 顺便说一下、计算使用的是低侧 FET Rdson、而不是高侧。

    此致、

    Mathew

  • 0
    TI__Guru**** 1952220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Mathew
    从数据表8.2.1.2.10中可以看出高侧 MOS FET，我把~弄糊涂了。
    顺便说一下、如果客户想要高达 Iout= 30A、我可以先使用 webench 来运行25A。 并修改 OCP 电阻。 电感器使用0.47uH/37A 和低侧 MOS 并联更多 CSD17573Q5B 是否足够了？ 还有其他问题我没有注意到吗？
    令人很烦
  • 0
    TI__Guru**** 1952220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    很棒

    从数据表8.2.1.2.1中、这些公式参考图14、其中 Q1是同步 FET 或底部 FET。  但是、我可以看到数据表中的这种情况并不一致、其他一些图中将 Q1作为顶部 FET。

    总之、该公式指的是 Q1和图14。

    是的、最好使用低侧并联 FET 来保持散热、但它也取决于应用的最高环境温度等

    此致、

    Mathew

  • 0
    TI__Guru**** 1952220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    很棒

    借助现有的 Webench 基础架构、在原理图中选择替代元件时、就会出现这种情况、WEBENCH 不会重新设计、只有 OpVals 参数会改变。 因此、"Rs"值不会更新。


    此致、
    Mahantesh
  • 0
    TI__Guru**** 1952220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    该问题何时会在 WEBENCH 中得到解决？ 能够更改 SMPS 输出端的大容量电容器等组件、然后运行精确的瞬态仿真对于 VDDQ 电源的设计至关重要。