[参考译文] CSD19505KTT：CSD19505KTT 连续 ID 问题检查

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器件型号：CSD19505KTT

大家好、

我想向我的客户提示我们的 CSD19505、但我想更清楚地说明特定于连续 ID 的内容、您能帮助我理解吗？下面是连续的最大额定值、我的问题是导通的 RDS 约为2.6~2.9 m Ω、连续 IDS 为200A 时、MOSFET 的功率损耗约为200x200x2.6m Ω=104W！当 Δ T = 0.5W 和 RθJC RθJA = 62C/W 时、这是如何实现的？您能帮我理解吗、非常感谢！

对于我的客户、Vgs 为5V、工作温度范围为-40C 至85C、因此我想知道 CSD19505在整个温度范围内可以处理的最大连续(如果布局正常)电流？

此致、

张苏琳

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 651100 points

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Sulyn、
封装限制是将硅片连接到源极接线柱的接合线数量的函数。这不是热限制。该器件实际上具有世界上任何3引脚 D2PAK 的最高封装限制、因为我们增加了键合线的数量-这实际上是为了使器件更可靠。

所有其他电流都是热限制、但它们是根据特定的热阻抗计算得出的。器件可在客户电路板中处理的电流大小由客户结至环境热阻抗决定。虽然我们可以定义特定于此 FET 的结至外壳热阻抗(0.5eg C/W)、但我们无法预测您的客户外壳至环境热阻抗。这完全取决于热环境(气流、散热器等)。

以下是我写过的有关如何确定这些电流的博客： e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-3

下面是一个视频、我们将更详细地介绍该视频： training.ti.com/understanding-mosfet-datasheets-current-ratings

电源管理（参考译文帖）

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