请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LMG3422R030 主题中讨论的其他器件：LMG2610
大家好、
您能否 提供 TI GaN 与其他 Si 和 SiC FET 之间的特定雪崩能量比较数据？
我的客户 希望详细了解 我们的 GaN 器件物理原理、以了解 TI GaN 如何实现更好的浪涌抗扰度。
此致、
Itoh
大家好、
您能否 提供 TI GaN 与其他 Si 和 SiC FET 之间的特定雪崩能量比较数据？
我的客户 希望详细了解 我们的 GaN 器件物理原理、以了解 TI GaN 如何实现更好的浪涌抗扰度。
此致、
Itoh
您好！
要回答这个问题、我想指出的是我们针对 LMG2610器件的最新数据表、其中对此主题进行了评论。 LMG3422的答案是相同的、只是此时并未包含在相应的数据表中。 LMG2610数据表的第7.3.1节指出：
由于硅 FET 作为主要的电源开关技术长期存在，许多设计人员不知道铭牌上的漏源电压不能用作比较各种技术设备的等效点。 硅 FET 的铭牌漏源电压由雪崩击穿电压设置。 GaN FET 的铭牌漏源电压是通过长期符合数据表规格来设置的。
超过硅 FET 的铭牌漏源电压会导致直接和永久损坏。 同时、GaN FET 的击穿电压远高于铭牌上的漏源电压。 例如、LMG2610 GaN 功率 FET 的击穿漏源电压超过800V、这使得 LMG2610能够在超出铭牌上相同额定硅 FET 的条件下运行。
图7-1对 LMG2610 GaN 功率 FET 开关功能进行了说明。 该图显示了 LMG2610 GaN 功率 FET 在开关应用中四个不同开关周期的漏源电压与时间的关系。 对于开关频率或占空比没有提出任何要求。 前两个周期显示正常运行、后两个周期显示在罕见的输入电压浪涌期间运行。 LMG2610 GaN 功率 FET 可在零电压开关(ZVS)或断续导通模式(DCM)开关条件下导通。
重申一下、这也适用于 LMG3422器件、如果您有任何其他问题、请告诉我。
此致、
扎赫