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[参考译文] CSD18542KTT：数据表中 N 沟道或 P 沟道的连续电流 ID 方向

admin
Guru**** 1715510 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18542KTT
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/590607/csd18542ktt-continuous-current-id-direction-for-n-channel-or-p-channel-in-datasheet

器件型号：CSD18542KTT

您好、专家、

大多数 MOSFET TI、ST、ON-Semi 等仅为 N-MOSFET 提供正 ID、为 P-MOSFET 提供负 ID。  

例如、TI 器件 CSD18542KTT 具有+200A 的连续 ID。  

但是、Rohm MOSFET 始终在 数据表中提供正负电流。 Rohm MOSFET 和 TI MOSFET 之间是否存在真正的差异、还是只是一种不同的规格显示方式？

例如 RD3L08CGN、ID=+-80A：  

谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 1715510 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    周
    这里唯一的区别是、我们只是以不同的方式对器件进行了规格说明。

    封装电流额定值适用于两个方向、因为这是硅片和源极接线柱之间连接的函数、电子无论正向偏置还是反向偏置都会流过同一路径。

    但是、热限制相反取决于体二极管中的损耗、而不是 FET 导通电阻产生的传导损耗。 换句话说、无论 FET 是正向偏置还是反向偏置、热环境允许您消耗的功率都是相同的、 但正方向功率的计算方法是 P=I^2*R，在反向时为 I*VF，其中 Vf 是二极管上的正向压降。