[参考译文] CSD18542KTT：数据表中 N 沟道或 P 沟道的连续电流 ID 方向

周
这里唯一的区别是、我们只是以不同的方式对器件进行了规格说明。

封装电流额定值适用于两个方向、因为这是硅片和源极接线柱之间连接的函数、电子无论正向偏置还是反向偏置都会流过同一路径。

但是、热限制相反取决于体二极管中的损耗、而不是 FET 导通电阻产生的传导损耗。 换句话说、无论 FET 是正向偏置还是反向偏置、热环境允许您消耗的功率都是相同的、 但正方向功率的计算方法是 P=I^2*R，在反向时为 I*VF，其中 Vf 是二极管上的正向压降。