LDO 具有内部热关断保护、即"如果功耗导致结温超过指定的限值、器件将进入热关断状态"。
已尝试短接 Vout 和 GND。 温度增加到108°C、但器件没有损坏。 5V 输出电压仍在出现。 然后、在 IC 封装外部施加热空气并将温度提高到200°C、同时使输出同时短路。 在大约160°C (绝对最大值150°C)时、发生了热关断、但器件仍然没有损坏。
从这里我们可以得出结论、在任何功率损耗增加的情况下、LDO 本身都不会变得不良。 在最坏的情况下、将发生热关断并且 LDO 受到保护。
因为我的目标是烧毁 LDO。 因此、缩短输出电压和提高温度没有任何帮助。 然后、I 将电压增加至20V (绝对最大值12V)、同时输出短路且温度升高。 LDO 出现故障。 测得的输出电压和输入电压为6欧姆(短路)。
结论:
LDO 仅通过将 I/P 电压增加到超过绝对最大值而不是通过增加功率耗散来放大。
我的查询:
热关断将保护 LDO 始终承受 LDO 的过多功率耗散。 请确认。
2.当 LDO 发生故障时,Vout 和 Vin 会短路。 因此、无论 I/p 处提供的电压是多少、它都会在 o/p 处泄漏 请确认。