主题中讨论的其他器件: LM5060
您好,专家:
由于我们的客户设计 LM5060-Q1背对背反向保护测试 Vin=12V,并且当 Iout 从空载调整到6A 时,MOSFET 将损坏(稳定负载电流),因此我们现在正尝试找出根本原因。
同时 、发现另一个 E2E 问题已更新 OUT 引脚已修改、以便在 Q1和 Q2 MOFET 之间连接、如下图所示。 我附上了原理图和客户设计规格。 我知道吗
哪种设计是正确的?
谢谢你
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您好,专家:
由于我们的客户设计 LM5060-Q1背对背反向保护测试 Vin=12V,并且当 Iout 从空载调整到6A 时,MOSFET 将损坏(稳定负载电流),因此我们现在正尝试找出根本原因。
同时 、发现另一个 E2E 问题已更新 OUT 引脚已修改、以便在 Q1和 Q2 MOFET 之间连接、如下图所示。 我附上了原理图和客户设计规格。 我知道吗
哪种设计是正确的?
谢谢你
尊敬的 Chan:
FET 损坏与 OUT 引脚配置无关。 如果 Vout 处有源源源、则应将 OUT 引脚连接到公共源极点、这是为了保护 LM5060、与 FET 无关
如以下主题中所述、请使用更强的 MOSFET
此致、
Rakesh