大家好、
1.我想知道 FFM 如何实现恒定伏秒和基尼。

2.请您帮助说明 FFM 为何可以实现 ZCS?

谢谢、此致、
维多利亚
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您好、Victoria、
感谢您关注 UCC28600"绿色环保模式"反激式控制器。
对于您的问题1: 第7.4.2节中有关 FFM 的段落接着说:"..MOSFET 峰值电流保持恒定、开关频率降低(折返)..." 在该模式下、通过保持每个开关周期的峰值电流恒定、施加到初级电感的伏秒积必然是一个恒定值。 如果输入电压较低、导通时间较长、如果输入电压较高、导通时间较短。
优点是在该模式下、MOSFET 峰值电流已经处于最低水平、因此随着负载的降低、降低开关频率可进一步降低开关损耗和导通损耗。
对于 Q2:ZCS 表示"零电流开关"、图12是数据表中提到 ZCS 的唯一位置。 这可能会引起一些混淆、因为该器件在 QR 和 DCM 开关模式下运行、而这些模式始终在 ZCS 下运行。 换言之、开通时的 MOSFET 电流始终从0A 开始。 在没有 CCM 运行的情况下、导通电流不为零。 因此、该器件可在所有负载下以所有模式与 ZCS 配合使用、而不仅仅是在 FFM 中。 为了避免认为 ZCS 是一个特殊情况、我建议假装 ZCS 从未提及。
此致、
Ulrich
您好 Ulrich、
感谢您的详细解释! 您可以清楚地说明为什么在 FFM 期间它具有恒定伏秒。
关于 Q2、我得到了您的观点、即当我从0开始时、QR 和 DCM 都会打开 MOSFET、而不是 CCM。 但是,根据我的理解,ZVS 如下所示,在开启时 u 和 I 中没有重叠。
下图还显示了在零电流下导通的情况。 数据表中的该 ZVS 是指哪个图?

期待您的回复。
谢谢、此致、
维多利亚
您好、Vivtoria、
通常、ZVS 指的是上面的两个波形。
相反、它指的是电流的这种形状: 
当然、在 MOSFET 导通时、所有开关电流都从零开始。
然而、最初的两个电流波形显示了一个急剧上升斜率、随后是导通期间的水平或极浅上升斜率。 这表示 CCM、其中陡峭的斜率只是由杂散和泄漏电感限制的 di/dt 所致。 "扁平"器件通常来自反射输出电感(在 CCM 正向模式下)或非常高的初级电感(在 CCM 反激模式下)。
在 以 ZVS 运行的 DCM 反激式中、电流斜率基于在初级绕组电感上施加的大容量电压。
注意:UCC28600 QR 控制器只能在大容量电压等于或小于反射电压(NPS* Vout)时实现 ZVS。 当 Vbulk>Vsb랴 펳 时、它不能强制 ZVS。 我认为在图中将 QR 模式标记为"(ZVS)"是错误的。 QR 模式进行谷底开关、其中 MOSFET 在退磁后以 DCM 振铃的最小谷值电压开启。 谷底开关= ZVS 仅在 Vbulk </= Vs反射 的特殊情况下。
此致、
Ulrich