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你(们)好
当负载增加 MOSFET 在硬开关位置导通时、漏极 MOSFET 处于欠压状态
感谢你的帮助
我随附了您使用过的所有完整文档
请注意、在这种情况发生后、原理图中的 RC 更改为20欧姆、4.7nf R GATE 更改为20欧姆 如果在注射增加时增加负载、则为120V
如果 L 更改为更低的注射下阀、我认为占空比可以在电感器和中节省大量能源 切换过于困难不要在此 MOSFET 导通后让电压 L 下降到接近输入的位置
RC 器件上的热量变高我在 MOSFET 附近添加了另一个二极管、没有任何影响、只改变 RC 阀门到低电阻器和高电容器有助于在注射时降低噪声
e2e.ti.com/.../4KW-PFC.zip
输入55V 输出 263V 电流2A 输入输出
电流
首先让 UNDERSHOT 开启、如果在 RC MOSFET 更改后电流变为1A、则将电流变为1A、从而使 UNDERSHOT 增加0.5A 到20欧姆和4.7NF 现在从1A 输出电流开始快速启动
你好 Omid
Sonal 要求我与您一起解决这个问题。
电压振铃看起来是由开关环路中的杂散电感引起的、从 MOSFET 漏极、经过其源极、到输出电容器、再到 PFC 二极管阴极、然后返回到 MOSFET。
您能否给我发送您的 PCB 布局光绘文件、我将为您进行审核。 如果您不想在此处发布、可以通过 colingillmor@ti.com 将其直接发送给我
您是否尝试断开两个 PFC 级中的一个-只需拆下 MOSFET 栅极驱动并将栅极连接到其源极即可。
如果您这样做、则下一个阶段是移除其中一个并联 MOSFET (例如、断开其栅极驱动并将其栅极连接到源极 Q5.1、然后查看电路是否在该条件下工作(当然、在较低功耗下)
上述测试是值得的，但我认为造成这个问题的主要原因是布局问题。
此致 Colin
谢谢 Omid
我收到了这些文件、并通过电子邮件回复了您。 我现在要关闭此主题、我们可以通过电子邮件继续处理此问题。
此致
Colin
