您好！
当 Vin=20V、Vin/Iout=1.2A 时、注意到 Vgs 电平只有大约4V 至5V。
在 LM5050-1 Vgs 规格下、Vin 为12V 至75V 时、Vgs 典型值为12V。
1) 1)您能否帮助告知波形低于12V 的可能性是什么？
2) 2)如果 Vgs 低于12V、这是否意味着 MOSFET 未完全导通？ 您能在这里帮助解释 Vgs 参数的含义吗？
3) 3)完全开启 MOSFET 的参数是什么？ 请提供建议。
谢谢。
您好、Kari、
感谢您的反馈。
我还有其他问题(请使用粗体字体)、请提供建议、谢谢。
LM5050-1 在标称电流下将 MOSFET 漏源极上的正向电压调节为22mV (根据标称电流选择 Vgs 为4.5V 的 FET Rdson、Rdson (Vgs=4.5V)选择为22mV/标称电流)。
在正常运行期间、将看到22mV 并且 MOSFET 的栅极受到控制(不会完全增强、它将大约为4.5V)如果电流超过标称值、栅极电压将增加、以便 RDSon 减少、从而在该更高的电流下实现22mV 的源漏压降。
问题：在 Vgs~4V 时、即使超过 MOSFET 的栅极电压阈值(Vth)、MOSFET 也不会完全增强？ (即某些 MOSFET Vth=2V)。 我的理解是否正确？
如果负载电流低于标称电流、则会降低栅极电压以增加 RDSon、并实现22mV 调节。
在极高的电流下、栅极电压饱和至规格表中指定的最大电压。
数据表中的 VGS 规格规定 VIN-OUT = 175mV。 这意味着 LM505-1已脱离正向调节、且 GATE 已完全增强。
因此、4V Vgs 是由于它仍处于稳压状态、因此可以看到预期的结果。
问题：您在整个温度范围内是否有类似的图表？ 由于 VSD 调节变化很大...
此致、
Philip
