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[参考译文] LM5122：IC LM5122的高侧和低侧均具有4个并联 MOSFET

admin
Guru**** 2507255 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/734359/lm5122-parallel-4-mosfets-in-both-high-side-and-low-side-of-ic-lm5122

器件型号：LM5122

I 设计通过使用 LM5122从升压输入12V 到24V/8.3A、200W 来同步升压。 我是否可以并联4个高侧和低侧 MOSFET？ 请提供建议。

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    TI__Guru**** 2507255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Santi、
    感谢您考虑使用 LM5122。 通常是并联 MOSFET、因为 LM5122具有强大的3A 栅极驱动器。 但是、并联过多个 FET 可能会导致过多的开关损耗。 在给定总栅极电荷 Qg 的情况下、驱动器强度决定了它可以驱动 FET 的速度。 有关损耗估算、请参阅公式(40)和(41)、并在导通损耗和开关损耗之间实现最佳平衡。

    谢谢、
    Youhao Xi
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    TI__Guru**** 2507255 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢你的建议。 我们将对其进行折衷。