[参考译文] UCC5390SCDEVM-010：UCC5390SCDEVM-010

admin

Other Parts Discussed in Thread: UCC5390, UCC21520

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：UCC5390SCDEVM-010
主题中讨论的其他器件：UCC5390、 UCC21520

尊敬的团队和 Don：

我尝试设计一个 UCC5390栅极驱动器来驱动两个并联 SiC MOSFET。都是100A 开关。

我在一个论坛中看到、您建议使用 UCC5390分离输出类型来驱动两个并联开关、因为它具有高电流处理能力。

您能看到我的设计并给我一些反馈吗？

谢谢

0 admin 1 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

栅极驱动器输出电压为：正+15V 和负-5V。因此、我的计划是对负电压使用-5V 齐纳二极管。

VCC1输入电压为12V

0 admin 1 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Siddhant、

欢迎使用 e2e、感谢您提出问题。

我注意到 VCC1引脚上有12V 电压。请注意、逻辑阈值(如您参考的帖子中所述)占 VCC1电源电压的百分比。如需更多信息、请参阅此常见问题解答： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967877/faq-ucc5310-logic-input-characteristics-of-ucc53xx-family

对于负偏置配置、请查看图10-2。 UCC21520数据表中的隔离式偏置电源输出上带有齐纳二极管的负偏置电源。

此外、我建议您使用 UCC5390EC、该器件提供相对于 IGBT 发射极的 UVLO。您的原理图表明器件型号、但您的引脚不适用于该器件型号...

成功驱动并联 SiC FET 的关键是使用几欧姆的栅极电阻将每个栅极与另一个栅极隔离。否则、寄生振荡很容易击穿并破坏 FET。

此致、

Don

电源管理（参考译文帖）(Read Only)