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[参考译文] UCC5390SCDEVM-010:UCC5390SCDEVM-010

Guru**** 1715510 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5390, UCC21520
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1185419/ucc5390scdevm-010-ucc5390scdevm-010

器件型号:UCC5390SCDEVM-010
主题中讨论的其他器件:UCC5390UCC21520

尊敬的团队和 Don:  

我尝试设计一个 UCC5390栅极驱动  器来驱动两个并联 SiC MOSFET。 都是100A 开关。  

我在 一个论坛中看到、您建议使用 UCC5390分离输出类型来驱动两个并联开关、因为它具有高电流处理能力。  

您能看到我的设计并给我一些反馈吗?  

谢谢

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    栅极驱动器输出电压为:正+15V 和负-5V。 因此、我的计划是对负电压使用-5V 齐纳二极管。

    VCC1输入电压为12V

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    您好、Siddhant、

    欢迎使用 e2e、感谢您提出问题。

    我注意到 VCC1引脚上有12V 电压。 请注意、逻辑阈值(如您参考的帖子中所述)占 VCC1电源电压的百分比。 如需更多信息、请参阅此常见问题解答: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967877/faq-ucc5310-logic-input-characteristics-of-ucc53xx-family

    对于负偏置配置、请查看 图10-2。 UCC21520数据表中的隔离式偏置电源输出上带有齐纳二极管的负偏置电源。  

    此外、我建议您使用 UCC5390EC、该器件提供 相对于 IGBT 发射极的 UVLO。 您的原理图表明器件型号、但您的引脚不适用于该器件型号...

    成功驱动并联 SiC FET 的关键是使用几欧姆的栅极电阻将每个栅极与另一个栅极隔离。 否则、寄生振荡很容易击穿并破坏 FET。

    此致、

    Don