主题中讨论的其他器件:UCC5390、 UCC21520
尊敬的团队和 Don:
我尝试设计一个 UCC5390栅极驱动 器来驱动两个并联 SiC MOSFET。 都是100A 开关。
我在 一个论坛中看到、您建议使用 UCC5390分离输出类型来驱动两个并联开关、因为它具有高电流处理能力。
您能看到我的设计并给我一些反馈吗?
谢谢
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尊敬的团队和 Don:
我尝试设计一个 UCC5390栅极驱动 器来驱动两个并联 SiC MOSFET。 都是100A 开关。
我在 一个论坛中看到、您建议使用 UCC5390分离输出类型来驱动两个并联开关、因为它具有高电流处理能力。
您能看到我的设计并给我一些反馈吗?
谢谢
您好、Siddhant、
欢迎使用 e2e、感谢您提出问题。
我注意到 VCC1引脚上有12V 电压。 请注意、逻辑阈值(如您参考的帖子中所述)占 VCC1电源电压的百分比。 如需更多信息、请参阅此常见问题解答: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967877/faq-ucc5310-logic-input-characteristics-of-ucc53xx-family
对于负偏置配置、请查看 图10-2。 UCC21520数据表中的隔离式偏置电源输出上带有齐纳二极管的负偏置电源。
此外、我建议您使用 UCC5390EC、该器件提供 相对于 IGBT 发射极的 UVLO。 您的原理图表明器件型号、但您的引脚不适用于该器件型号...
成功驱动并联 SiC FET 的关键是使用几欧姆的栅极电阻将每个栅极与另一个栅极隔离。 否则、寄生振荡很容易击穿并破坏 FET。
此致、
Don