先生/女士,你好
对于我的推挽式转换器应用、我选择了 LM5030 (VSSOP 封装)。
结至环境电阻为158摄氏度/瓦、我认为这对于我的应用而言非常高。 我想进行功率计算(内部栅极驱动器侧的功率损耗),以查看获得的温度水平是否令人满意(更关注数据表中的热关断,表示为165摄氏度。) 。
您能否为我提供用于计算的内部栅极驱动器的 Rdson?
或者有关 IC 功率计算的任何应用手册也可以。
谢谢你
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先生/女士,你好
对于我的推挽式转换器应用、我选择了 LM5030 (VSSOP 封装)。
结至环境电阻为158摄氏度/瓦、我认为这对于我的应用而言非常高。 我想进行功率计算(内部栅极驱动器侧的功率损耗),以查看获得的温度水平是否令人满意(更关注数据表中的热关断,表示为165摄氏度。) 。
您能否为我提供用于计算的内部栅极驱动器的 Rdson?
或者有关 IC 功率计算的任何应用手册也可以。
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您好!
您不需要内部驱动器的 Rdson、实际上内部驱动器是 Rdson 无法描述的电路。
内部驱动器功耗可通过电压和流入驱动器的电流(Vcc)进行估算、以估算 IC 的平均功耗。 您需要使用外部 MOSFET 参数来帮助您进行估算。
好的、谢谢
我想获取 IC 驱动 MOSFET 所耗散的功率。 要驱动的电流为0.3A。 为了驱动这种情况、我需要估算 IC 将消耗的功率。
您能否提供与 IC 相关的任何功率计算?
您好!
我相信您提到的0.3A 是峰值驱动电流。 如果是这样、您需要计算 Vcc 所需的电流、您需要知道 Fsw 和外部 MOSFET 栅极电荷参数。 获取电流后、将其乘以 Vcc 即可获得功率。
您可以搜索互联网以获取如何根据您的 FSW 和 MOSFET 参数计算驱动功率的公式。
大家好、感谢我的问题得到解决。
我想问一个不同的问题、所以在这里提出、因为我无法在论坛中发布问题。
我的问题是在数据表中给出了一个指定的死区(135ns)。这个值是多少? 至于不同的占空比要求、所需的死区时间会发生变化吗? 您能否简单介绍一下这是如何工作的。 我也附上了一个波形供您参考。 我想知道是否会自动调整 TB。(在图中)
非常感谢。
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我的问题是在数据表中给出了一个指定的死区(135ns)。这个值是多少? 至于不同的占空比要求、所需的死区时间会发生变化吗? 您能否简单介绍一下这是如何工作的。 我也附上了一个波形供您参考。 我想知道是否会自动调整 TB。(在图中)
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您好!
根据数据表、典型死区时间为135ns、整个温度范围内的死区时间为85ns 至185ns。 这些是固定的占空比、约为50%。 对于较小的占空比、额外的关断时间是由于转换器运行而不是死区时间设置的一部分。 它称为关断时间、而不是死区时间。