This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD19505KTT:将 TIDA-00792原理图与 CSD19505KTT MOSFET (并联 MOSFET)配合使用时出现问题

Guru**** 610675 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19505KTT, TIDA-00792, CSD19536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/723831/csd19505ktt-issues-while-using-tida-00792-schematic-with-csd19505ktt-mosfets-paralleling-mosfets

器件型号:CSD19505KTT
主题中讨论的其他器件: TIDA-00792CSD19536KTT

大家好、

我想构建一个电池管理系统。 由于在构建这些系统时我没有很高的成本、因此我使用了 TIDA-00792 (表1)参考设计并将 CSD19536KTT 更改为 CSD19505KTT。 其他三张 TIDA-00792 I 未受到尊重。 完成原理图后、我设计了自己的 PCB。

在测试放电方向时、我遇到的问题是两个 DSG MOSFET 中的一个在所有电流上产生10A 电流时无法正常工作。 在低电流测试中、我没有遇到任何导致的问题。 出现此问题后、我测量了传输电阻。 我观察到其中一个 MOSFET 具有低欧姆的源漏电阻。 因此、我更换了损坏的 MOSFET 并再次开始测量、但现在使用热像仪。 我注意到、其中一条源连接轨道的热负担比另一条轨道大得多。 我看了一下布局、发现轨道宽度明显不同。 这种差异是否会导致问题? 在重新搜索时、我经常会看到由于错误路由而导致的振荡问题。 但我还将200R 铁氧体磁珠放置在与参考设计相对应的每个 MOSFET 前面。
最后、我在每侧仅使用一个 MOSFET 进行了测量、并且没有错误(仅高轨道预热)。

很高兴您能与我分享您的想法!

谢谢、
最大

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Max:

    履带宽度的差异肯定会导致类似您所看到的问题! 走线越薄、走线的电阻越高。 我强烈建议您将电路板更改为每个源连接轨道具有相同的轨道宽度。

    请告诉我、这是否可以为您解决热问题!

    谢谢、
    Vince
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Vince、

    首先、我要感谢您的快速回复。 什么影响会导致 MOSFET 损坏? 它是可测量的振荡吗? 我不想在不知道问题最可能是什么的情况下订购新的 PCB。 也许我可以用铁滴珠的替代方法来解决它吗?

    此致、

    最大

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    这不仅是履带的热问题、而且 MOSFET 会造成永久性损坏(低欧姆)。 我是否支持您的答案?
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Max:

    我对这种混乱表示歉意。 MOSFET 损坏可能来自以下两个方面之一:热烧伤(持续高电流)或大瞬态电流。

    对于热烧伤、我建议您确保所选的 MOSFET 在使用的100A 电流下不需要散热器(确保 MOSFET 到环境的热结足以提供所使用的功率)。 对于瞬态、如果可能、我建议复制之前使用的设置并测量漏极和源极之间的电流。 请小心、因为大多数电流表不能在100A 下测量、因此最好使用高功率电阻器和电压表进行测试。

    如果您有任何其他问题、请告诉我!

    此致、
    Vince
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Vince、

    感谢您的回复。 我将为每个 MOSFET 使用散热器。 此外、我想指出的是、我谈到了10A。
    您提到的第一点可以排除、因为我只使用一个 MOSFET 没有问题。
    瞬变会在多高的频率发生? 它们是否是由错误的布局导致的? 我不得不说、我注意到过去的瞬变、源电流中的重复率约为100ms。 但我想我会毫无疑问的、因为一个 MOSFET 运行得非常好。 尽管稍后它们不再出现。 此外、它们不再出现、测量结果看起来很好。

    此致、
    最大

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Max:

    瞬变可能处于不同的频率、具体取决于源。 热插拔电池组后、您是否注意到这些瞬变? 您碰巧知道这些瞬变的振幅吗?

    谢谢!
    Vince
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Vince、

    在负载侧连接欧姆负载(0R33)后、我得到了这些瞬变。 我安装了电压源、而不是电池侧的电池组。 振幅达到了50A 的电流。在达到10A (3V 输出电压)后、振幅消失了。 因此、我认为它是由低输出压降引起的。

    我们是否可以得出这样的结论:优化的路线规划(您的第一个答案)可能会解决问题?

    此致
    最大
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    热红外图像为您提供热点、因此您获得2oz 铜而不是1oz 铜对于高电流路径而言相对较快。
    在 FET 下方添加散热过孔是一种将热量拉出的简单方法!