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[参考译文] TPS62821:tps62821 EMI 降低优化

Guru**** 2495085 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/722917/tps62821-tps62821-emi-reduction-optimization

器件型号:TPS62821

尊敬的 E2E:

与原理图和 PCB 布局相比、我发现 L99附近的过孔位置错误、我应该位于输出电容 C741后面。
输入电容 C739不够完美。

我检查 SW 波形、它是坏的。  通过 频谱分析仪的输出点波形也不是很好。
我不知道如何提高性能、现在我在 SW 点添加了铁氧体磁珠。

请允许我知道你的建议,谢谢  

SW 波形:

频谱分析仪波形:

客户原理图:

PCB 布局:

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的用户:

    您的波形实际上看起来不是 BAT。 根据负载条件、该器件将以 DCM 模式工作以启用 PSM。 您的波形只是典型的 DCM 波形。 负载电流是多少?

    频谱分析仪是否直接连接到输出电容器? 分析仪上的输入阻抗设置如何? 如果您有此选项、则应将其设置为1Meg。

    您为什么认为您的频谱不佳? 您将其与什么进行比较? 您是否有要满足的掩码规范?

    布局也可以是 inpmrove:

    -蓝色圆圈内的过孔代表什么? DoE 是否创建了所需的3.3V 电源平面? 如果是、您已经知道应该将其放在 C741的右侧
    -输入电容 C739是放置的最重要的无源器件。 它应该具有尽可能短的 GND 和 VIN 引脚路径、在您的情况下、它可以得到改进。 切勿通过通孔进行此连接、它们必须如 DS 第21页的布局建议中所示直接连接。
    -如果您确实具有频谱屏蔽规格、则可以放置一个小值的额外 Cin 和 Cout、但在较高频率下哪个阻抗充当电容器(GRM022R71A471MA01是 X7R 要求的示例)