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器件型号：UCD3138 工具/软件：Code Composer Studio
尊敬的所有人：
我们使用升压拓扑来设计我们的产品、方法是使用 UCD3138并使用高侧 SR 代替二极管、以实现更高的效率。
我们使用 IDE_KD 寄存器来控制高侧 MOSFET 的导通占空比。 (dB = Da * Kd)
当 Vin=72V 时，设置 DB=Da*9。
当 Vin=40V 时，设置 DB=Da*1。
当我将 Vin 从70Vdc 更改为40Vdc 时、Kd 将从9切换为1。
此时、我们发现高侧 SR 存在击穿问题。
CH2 (青色 )：DPWM1B（UCD3138引脚）
CH3 (红色)：DPWM1A（UCD3138引脚）
如果当 Vin=72V 时设置 DB=Da*5并将 KD 从5更改为1，则不会再次出现此问题。
您能给我一些关于这方面的想法吗？
