[参考译文] LM5066：如何检查栅极驱动能力

admin

Other Parts Discussed in Thread: LM5066, LM5066I

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/718057/lm5066-how-to-check-the-gate-driving-capability

器件型号：LM5066

您好！

如何检查栅极驱动能力？我们需要检查所选的 MOS Qg？

在 execl 工具中没有看到任何有关栅极驱动的公式、我们可以输入的最大 MOS 数为6。

如果客户想要使用8个或更多的 MOS 并联、如何检查我们是否可以支持它？谢谢。

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Chen、

栅极驱动能力受电荷泵电流的限制。 LM5066器件的典型值为20uA。该器件能够驱动6个以上的 MOSFET。然而、更多并联的 MOSFET 会增加栅极的有效电容、从而增加启动时间。

您可以使用设备名称 LM5066解锁 execl 工具。
您能否分享您的系统要求？最大值是多少负载电流和输出电容。

此致、
Rakesh

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Rakesh、

如何知道是否可以为 LM5066I 驱动6个 MOS？是否需要检查任何参数？
可以说可以驱动更多的 MOS、但启动时间会更长、需要考虑 SOA/FAULT 计时器是否合适？如果 SOA/FAULT 计时器可以处理、则没有其他计时器？
需要考虑 MOS 关断时间吗？如果我们使用更多的 MOS、灌电流能力还可以吗？
目前没有规格、RD 希望先检查功能、对于之前的设计、它们具有7kW 应用。 (48V/150A/~3000uf)
谢谢。

此致、
Lynn

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Lynn、

较长的启动时间会降低启动期间的 SOA 裕度、但可以通过使用缓慢 dv/dt 控制来克服这一问题。挑战是在"热短路"或"短接启动"期间具有 SOA 裕度。
设计工具有助于快速验证。使用解锁的 Excel 工具并删除 MOSFET 数量的"数据验证"条件。首先使用 PSMN4R8-100BSE MOSFET。

此致、
Rakesh

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Lynn、

请向我发送填充的设计计算工具以供审核。

此致、
Rakesh

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Lynn、

感谢您发送文件以进行审阅。在我们通过电子邮件转发时、请关闭此主题。

此致、
Rakesh

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] LM5066：如何检查栅极驱动能力