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[参考译文] BQ40Z80EVM-020:Q4周围电路的用途? DSG FET 未完全打开。

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80EVM-020

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/720013/bq40z80evm-020-purpose-of-circuit-around-q4-dsg-fet-not-fully-open-up

器件型号:BQ40Z80EVM-020

在 BQ40Z80EVM-020上、围绕 Q4的电路有什么用途? 及其与 DSG FET Q3的关系?

我基于 P40Z80构建自己的 BMS 电路板、该电路板主要是 BQ40Z80EVM-020参考设计的副本。 所有功能均按预期工作、但放电 FET (EVM 上的 Q3)在命令要求时未完全打开。 当拉取~210mA 且 FET 变热时、我看到~8V 的压降。 在这种情况下、DSG 测试点的电压为16V。

当我稍微触摸 Q4栅极或完全移除 Q4时、DSG FET Q3完全打开、压降为几 mV、输出电压和电流符合预期。 然后、DSG 测试点处的电压为21.6V。

BMS 设计通过额定21.6V 的6S 锂离子电池供电。 在所有测试用例中、CHG FET 被命令为开路。

感谢您的任何帮助、谢谢。

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    我认为 SLUUBT4A 第22页的这条说明回答了我的问题:
    "bq40z80EVM-020反极性电路的实施不正确。 为确保正确的充电和放电行为、应移除 D3和 R7。 这将在 EVM 的未来版本上进行更正。"
    产品支持、请确认。
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    是的、这将解决您的问题。