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[参考译文] BQ25505：无法为3.5V 充电

admin
Guru**** 2507255 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25505

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/729880/bq25505-cannot-charge-to-3-5v

器件型号：BQ25505

我已经使用 BG25505设计了一个电路板。  我已将 VBAT_OK 设置为1.9V、VBAT_OK_HYS 2.5V 和 VBAT_OV 设置为3.5V。

我已将太阳能电池板连接到器件的输入端。  我将获得高达1.5V 的较慢充电速率、升压充电开始并变为2.5V。  2.5V 时、SEC_ON 拉低、Vstore 处于负载上。  我的问题是它不会充电至3.5V。  一旦达到2.5V、它基本上会快速降至1.9V。  然后、它将 Vstore 充电至2.5V 并重复此操作、因此基本上在1.9和2.5V 之间波动。

我已附上我的原理图。  J1是我插入太阳能电池板的位置。  J2短接以连接我的电容器组。  J3和 J4未连接、因此它们是开路的。   e2e.ti.com/.../010150-Controller-PCB_5F00_7918.pdf

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    e2e.ti.com/.../010150_5F00_V5.zip

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    您好 Richard、

    关于原理图、VBAT_OK 应> VBAT_UVmax = 2.0V。

    关于 VBAT_OV 调节问题、可能是由于电阻器的焊剂污染、如 d/s 部分10所述：

    MΩ 最大限度地提高轻负载下的效率、建议使用大于1k Ω 的电压电平设置电阻器。 在中
    此外、VREF_SAMP 上的采样保持电路输出电容器必须在期间保持16s 的电压
    电路板组装、助焊剂等污染物甚至一些电路板清洁剂都会留下残留物
    可能会在物理电阻器/电容器和/或电阻器/电容器的一端形成寄生电阻器
    尤其是在潮湿、快速气流的环境中。 这会导致电压调节和阈值
    级别与安装的组件预期的级别有很大的变化。 因此、它非常重要
    建议在电压设置电阻器或采样保持附近不浇注接地平面
    电容器。 此外、必须仔细清洁电路板、在清洁过程中可能至少旋转一次、和
    然后用去离子水冲洗、直到该水的离子污染远高于50 Mohm。 如果不是这样
    可行、因此建议将电压设置电阻器的总和减少到至少比低5倍
    测得的离子污染。

    要测试该理论、请拆下电阻器并将其替换为10分的相同值、或用酒精清洁电路板和电阻器、然后替换为位于边缘的电阻器。
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    感谢这一建议，我将对此进行尝试。
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    我们确实清洁了电路板并将电阻器放在端部并重试。  电路板的工作方式相同。  我们注意到、一旦达到2.5V、VBAT_SEC 会消耗60uA 的电流。   

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    我刚才注意到、在您的原理图中、两个外部 FET 连接不正确。 FET 将电流从源极引脚传递到漏极引脚。 源极引脚不应悬空。 我认为这不会导致较低的调节问题。

    如数据表 图20所示、RDIV 脉冲显示什么？ 第一个脉冲应为 VSTOR、第二个脉冲应为2/3 VBAT_OV？

    我不得不更换 EVM 供应商、以找到能够充分清洁 EVM 以防止不良调节的供应商。 另一个技巧是将电阻器的尺寸减小10倍、看看您是否仍然调节得太低。 如果这可以解决问题、则是焊剂问题。

    您能否订购其中一个 bq25505 EVM 并更改 EVM 上的电阻器？ 它还连接了用于一次电池和二次电池的 FET。

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    我已购买：BQ25505EVM-218。 它没有 FET。
    我目前移除了一个电路板上的 FET、以查看它们是否导致了问题、其作用也是一样的。

    我将查看 RDIV 脉冲。
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    e2e.ti.com/.../Newfile1.txtJeff、

    这是 RDIV 的屏幕截图。  看起来第二个脉冲大约是 VBAT_OV 的2/3。

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    此屏幕截图是否显示了不正确的内容？

    还有其他想法吗？

    谢谢、

    丰富

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    第一个脉冲应处于当前 VSTOR 值、第二个脉冲应处于2/3的 VBAT_OV 设置(~2.33V)。 对吗？ 如果是、则电阻器正常。 接下来要检查的是负载。 VSTOR 或 BAT 上的电阻负载是否非常适合您的输入源？
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    Vstore 大约为2.5V、OV 应该为3.5、因此2.33大约为2/3。   

    我没有任何东西连接到负载。  我移除了 Q1和 Q2、因此我在 Vstore 上仅有2个电容器。  当 Vbat_sec 达到2.5 Vstore 达到2.5时、Vbat_sec 几乎立即变为1.9。  我无法找到导致下降的原因。   是否是布局问题？  我有4块板做同样的事情、因此我感到困惑。

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    升压转换器的输出为 VSTOR。  然后、当 VSTOR 达到 VBATOT-HYST 时、有一个将 VSTOR 连接到 VBATSEC 的 PFET 打开。  您的 HYST 阈值是否为2.5V？  BATSEC 上的接地电阻是多少？

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    是的、我的 HYST 被设定为2.5V。 来自 VBATSEC 的电阻在1.2M 时分压并降至95K、然后再次开始增大。 当我移除 J2 (移除电容器)时、VBATSEC 为12M
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    据我了解、VSTOR 在 VBAT_SEC 达到1.9V (VBAT_OK)之前不应具有电压。 是这样吗？

    我看到 VSTOR 有一个电压(比 VBAT_SEC 高150mV)、这是首次充电的正确形式。 我还注意到、VSTOR 和 SEC_ON 看起来是相同的电压、即使它们未短接。
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    仅当 VIN_DC 上没有电压时、VSTOR 才需要从0V 开始、并且当电池连接到 VBAT_SEC 时、您希望 VBAT_SEC 和 VSTOR 之间的 FET 打开  

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    Jeff、

    我一直在拔出头发，试图弄清楚这一点。   

    我绝望地切断了进入 MCU 的 VABT_OK 迹线、能量收集芯片现在正在充电至3.5V。   我正在尝试确定我们的。

    我认为我对这个问题很有好处。  感谢你的帮助。

    丰富

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    你(们)好 Richard。 您是否能够解决 VBAT_OK 和 MCU 的问题？ 我正在考虑采用 BQ25505的设计、并希望避免重复出现任何问题。 我也有疑问。 您能否告诉我、当 BQ25505禁用(EN = VBAT_SEC)时、VBAT_OK 是否处于活动状态？
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    TI__Guru**** 2507255 points
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    Steven、

    如果我们将 MCU 上的引脚置于高阻抗状态、它似乎可以正常工作。

    我将 EN 连接到 GND、因此我没有禁用芯片。

    丰富

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    TI__Guru**** 2507255 points
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    如果/EN 被接至高电平、VBAT_OK 将不起作用。