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器件型号:LM25141-Q1 主题中讨论的其他器件:LM25141、 LM25149、
您好、先生、
是否有一些参考 电路可增强 MOSFET 驱动能力? 我的客户希望实现 LM25141的30A 输出电流。 我使用计算工具来发现由于同步 MOSFET 损耗更高、效率非常低。
此致、
Wenting
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您好、先生、
是否有一些参考 电路可增强 MOSFET 驱动能力? 我的客户希望实现 LM25141的30A 输出电流。 我使用计算工具来发现由于同步 MOSFET 损耗更高、效率非常低。
此致、
Wenting
您好、Wenting、
您可以使用快速入门计算器来检查功率损耗。 您的工作条件是什么(输入电压、输出电压、FSW)? 您可以随时向我发送一个快速启动文件来查看。
如果您使用的是 LM25141-Q1 42V 控制器、则40V FET 应该正常。 以 Infineon 的用于 OptiMOS6 FET 的 LM25149 EVM 为例(这些也是 Q 级)。 请注意、FET 必须为逻辑电平、Rdson 的额定电压为 Vgs = 4.5V (这不应成为问题、因为大多数40V FET 符合此标准)。
此致、
Tim