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[参考译文] TPS7A94EVM-046:压降运行期间为高阻态输出

Guru**** 608265 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7A57, TPS7A94
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1232249/tps7a94evm-046-high-z-output-during-dropout-operation

器件型号:TPS7A94EVM-046
主题中讨论的其他器件:TPS7A94、TPS7A57

您好!

我想知道 TPS7A94是否可以在未提供输入电压的情况下输出高阻态。 当为 EVM 中的输出 BNC 连接器提供1V 电压时、I 测得的电流消耗为100mA。  

谢谢。

Arnav

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    您好!

    该器件没有集成的反向电流保护功能、因此反向电压会导致体二极管导通。 在没有偏置电源的情况下、通流器件有0V VGS、因此通道是闭合的、但不管怎样、该体二极管都将导通。  

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    感谢您的答复。 体二极管将传导的电流大小是否有任何可预测的数据? 是否有可用的 IV 曲线?

    此外、是否存在向 LDO 输出施加电压的潜在向下端?  

    谢谢。

    Arnav

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    您好!

    体二极管是典型的 PN 结二极管、因此 IV 曲线与大多数 PN 结二极管非常相似。 我没有任何与您分享的有关数据、但可以预计体二极管在其上的电压大于大约300mV 且电流响应呈指数级增长时开始导通。 因此、我们的大多数 LDO 在 VIN + 300mV 输出端具有绝对最大额定值(就像此器件一样)、以避免体二极管导通。  

    则可能会因反向电流而损坏器件。 通流器件本身可以处理反向的额定电流(即此器件的反向电流为1A)之类的东西、但体二极管不受控制、流过它的电流很大、因此很容易超过此电流水平。 此外、通常情况下、从输出端经过体二极管的所有电流最终都在输入端并不正确。 其中一些电流会进入控制环路、并可能损坏尺寸不能承受大电流的金属迹线。 因此、我们通常建议将反向电流限制在额定电流的5%以下、以免损坏器件。 由于体二极管的非线性电流响应、这样做并不容易、因此如果给定应用中可能出现反向电压、通常最好首先避免反向电流流流过器件。 对于没有集成反向电流保护电路的器件(例如此器件)、最简单的方法是在输入电容器之前的输入端放置一个二极管(以便输入电容器仍直接位于 IN 引脚上) 另一个为 OUT (阳极)至 IN (阴极)。 这样、如果在 OUT 引脚上施加了电压、则有一个替代路径供电流流动、而不是通过器件、并且输入端的二极管可防止电流进一步上行。  

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    非常感谢您提供的宝贵意见。 您知道我可以参考的二极管参考设计是否有任何相关参考设计? 您会建议使用哪种二极管?

    谢谢。

    Arnav

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    您好!

    您指的是哪种二极管? 我提到过的外部解决方案还是体二极管?

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    我指的是外部解决方案。 我当时在想类似的东西:  SIZ340DT-T1-GE3用于输出,但不确定它是否是过度使用。 如果输出端有足够的保护、为何需要在输入端提供保护?

    谢谢。

    Arnav

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    您好!

    我不确定如何使用 MOSFET 来实现我之前讨论的目标。 我应该提到、它通常是肖特基二极管、因为它们可以获得相当低的正向电压。 对于 IN 和 OUT 之间的二极管、您需要找到一个肖特基二极管、其在合理的电流电平下正向电压小于大约300mV。 输入二极管不需要如此低的 Vf;它只需要具有至少为您预期可施加到输出的任何电压的反向电压额定值。  

    大多数系统不能容忍上游产生错误电压。 输入端的二极管可防止施加到输出端的电压进一步上行。 二极管从输入到输出仅保护 LDO。  

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    对不起、我丢失了剪贴板的曲目。  SM74611KTTR 似乎优于典型的肖特基二极管。  

    谢谢。

    Arnav

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    您好!

    这会起作用。 但是、这可能是过度使用的原因、因为 KTT 封装足够大、几乎将解决方案尺寸翻倍、而且成本高昂。 如果您对此无关紧要、那么这是一款适用于保护方案的好器件。

    我还想指出的是,我在上面的评论中错误地说,阴极应该是开的,阳极应该是开的。 我倒过来了。 我修改了这条评论。  

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    我似乎没有太多的选择。 在某些情况下、我的输出电压为0.75V-0.9V、我不想重新感测超过100mV 的二极管正向压降。 我的输出电流可以是8A (2个 TPS7A57)、没有多少二极管支持这一点、如果需要添加更多电阻器以平衡电流负载、我不确定多个二极管上的电流负载共享情况。  

    谢谢。

    Arnav

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    您好!

    流经二极管的电流将不等于器件上的负载电流。 流经二极管的电流将取决于 CIN 的大小、当它充电时、二极管电流会下降。 因此、当 CIN 具有低电压时、它将看到峰值电流、并会随着充电而下降。 我从未见过常规低 Vf 肖特基二极管在这种情况下发生故障。 我也不确定您所说的"在二极管上检测超过100mV 的正向压降"是什么意思。 只要二极管在峰值二极管电流下的正向压降小于300mV 左右、LDO 就不会向其输出端灌入任何电流。  

    您要并联2个 TPS7A57器件吗? 您是否正在尝试用一个二极管来为两者增加保护?  

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    了解二极管只提供到输入端的电流路径。 顺便说一下、输入端的二极管应放置在输出到输入二极管之前正确吗?  

    是的、我当时想将二极管放在2个镇流电阻器之后、并将阴极连接到两个 TPS7157输入。  

    谢谢。

    Arnav

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    您好!

    是的、输入端的二极管应该放置在整个 LDO 解决方案之前、也应该放置在输入电容器之前。  

    我认为这应该起作用。  

    此致、

    Nick