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[参考译文] LM5169-Q1:电流限制与 RDS on 间的关系

Guru**** 612015 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5169-Q1, LM5168-Q1, LM34927, LM5169
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1236086/lm5169-q1-current-limit-vs-rds-on

器件型号:LM5169-Q1
主题中讨论的其他器件: LM5168-Q1LM34927LM5169

大家好、

我有一位客户 对使用 LM5169-Q1感兴趣且对电流限制很好奇。

从数据表中可以看出、电流限制为0.7A、LM5168-Q1为0.35A、但两个模型都有相同的高侧或低侧 MOSFET RDS、如下面的屏幕截图所示:

请问您的数据表是否正确? 我认为、如果我们将电流加倍、电阻应该只有四分之一、以便产生相同的导通损耗。  

我与较早的型号 LM34927相比、电流限制相同:0.7A、LM34927高侧和低侧 MOSFET RDS on 约为 LM5169-Q1规格的一半、请参阅以下内容:

请帮助验证这一点。

此致、

欧内斯特

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好

    数据表是正确的。 两款器件使用相同的 FET 尺寸;仅更改电流限制。

    这允许客户在使用较低电流器件时选择具有较小额定电流的电感器。

    LM5169/8系列中的 FET 专为120V 运行而设计。  因此、与 MOSFET 的栅极驱动器相比、

    与其他类似电流额定值和裸片尺寸的器件相比。

    谢谢