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[参考译文] LM5149：有源 EMI 电源

admin
Guru**** 1507460 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5149, LM5149-Q1EVM-400
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1236399/lm5149-power-supply-for-active-emi

器件型号：LM5149

大家好！
对于新项目(Vin=48V (-15%和+10%)、Vout=34V、Imax=15A、EN55022、B 类)、 我正在尝试使用有源 EMI 特性、但我不太了解(或我不想接受实际情况)、是否需要向 VCCX 应用外部5V 电压、或者我是否可以将此引脚连接到另一个引脚(Vcc：它是输出吗？)。 但仔细阅读数据表、会发现 Vccx-max 是6、5V…… 考虑到输入电压(max)接近60V、我需要使用60V 至5V 的稳压器...

请大家澄清一下。。。

费德里科

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    TI__Guru**** 1507460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Federico,

    VCCX 是可选的。

    VCC 将始终由基于内部 LDO 的 VIN 供电。

    VCC 可以为有源 EMI 滤波器供电。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的奥兰多：

    感谢您的回复！

    是的、即使我不明白在哪种情况下、最好将 VccX 连接到外部5V 电源、这样的帮助已经足够了。 在数据表中、它不是那么清楚、或者我不能详加阐述。 我认为、当输入电压超过阈值时、最好能够更大限度地降低内部 LDO 功耗。 好的、但是有源 EMI 滤波器电路的电流消耗是多少？

    如果我将使用内部5V LDO 稳压器、如何连接 VccX？

    感谢您发送编修。
    费德里科

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
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    如果未使用、VCCX 引脚应连接到 GND。

    在正常运行中、AEF 是一个交流电路、如果 AEF 正在进行大量交流取消操作、则来自 VCC 的最大直流电流应为~50mA。

    但是、AEF 的短路、直流电流限制为~100mA、这是 INJ 意外直接连接到 GND 的情况。

    -奥兰多

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
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    好的、大约是50mA。 在 Vin=48V 典型值的情况下、5V 内部稳压器功耗约为 PD=(Vin-5)/0、05=2.15W、我认为这块芯片的功耗太高了... 在数据表中、在许多表中 Vin=8..18V、在最坏的情况下、PD=0、65W……

    费德里科

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    TI__Guru**** 1507460 points
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    尊敬的 Federico：

    数据表中列出了一个48V 输入电压应用、绝对可以在48V 输入电压下将 AEF 与 LM5149搭配使用。

    50mA 是最坏的情况、我在典型 AEF 用例中测得的电流为~15-25mA。

    但是、是的、如果不使用 VCCX、效率会受到更大的影响。

    请参阅 LM5149-Q1EVM-400 EVM。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
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    尊敬的 Federico：

    数据表中列出了一个48V 输入电压应用、绝对可以在48V 输入电压下将 AEF 与 LM5149搭配使用。

    50mA 是最坏的情况、我在典型 AEF 用例中测得的电流为~15-25mA。

    但是、是的、如果不使用 VCCX、效率会受到更大的影响。

    请参阅 LM5149-Q1EVM-400 EVM。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多

    [/报价]

    尊敬的奥兰多：
    抱歉、但我按下了"这解决了我的问题"而不是"回复"。

    1) 1)"50mA 会是最坏的情况"：在哪种情况下？

    2) 2)该芯片上使用良好的间接吸湿层时的最大耗散是多少？

    谢谢！
    费德里科

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
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    Federico,

    当 EMI 噪声在基频处非常高时、最坏的情况是50mA。  

    Rtheta JA 为37.3度。

    因此、每1W、IC 温度应上升37度。

    请注意、这只是一个估算值、实际上在很大程度上取决于电路板布局设计。

    我会说1W 可以。 根据环境温度、2W 可能不起作用。

    -奥兰多

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
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    尊敬的奥兰多：

    感谢您的回复和参与！

    关于电路板布局... 这有点不是主题、但可以采用两层结构、而不是数据表和 EVM 中指示的第4层或第6层吗？

    谢谢！
    费德里科

  • 0
    TI__Guru**** 1507460 points
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    Federico,

    这应该是可能的,但将是非常困难的路由。

    HO、SW、LO 是噪声信号、ISNS+和 VOUT 是噪声敏感电流检测信号、因此只通过2层对一切进行布线就会很困难。

    通过 EMI 也会更困难、因为您没有 GND 平面并且您无法在内部路由噪声信号、它们会充当外层的天线。

    希望这对您有所帮助。

    -奥兰多