[参考译文] UCC21550：隔离式半桥转换器的 PCB 布局

您好、亮！

感谢您关注我们的器件。

要回答您的问题、请执行以下操作：

1.)  我们不建议使用较大的接地平面来填充橙色框区域。 如果您要使用接地平面、则将其用于连接到电源接地的低侧通道。 高侧"接地"(VSSA)应连接到高侧 FET 的源极、该源极是浮动开关节点、从技术上来说不是接地。 请记住、在半桥应用中、两个通道是独立的、这意味着不应连接 VSSA 和 VSSB。

2.) 低侧 MOSFET 的源极将连接到接地平面、而不是高侧 MOSFET。 高侧 MOSFET 的源极应连接到开关节点。

3.) 如果我理解正确、您是指尽可能减小开关节点环路电感。 保持布线尽可能短且宽、将减轻开关节点环路电感。 这是一个好问题、因为开关节点环路电感对开关节点上的噪声有显著的影响。

4.) 我们强烈建议不要将此引线布置在器件下方、因为我们无法通过器件下方的引线来保证额定隔离规格。

5.) 尽管这适用于较旧的器件、但布局规范是相同的。 以下是一些参考设计： https://www.ti.com/product/UCC21520#reference-designs 

6.) 只要采取了良好的做法、接地平面放置在哪一层都无关紧要。 通常、应避免尽可能重叠的开关节点和接地、避免在接地端运行高侧信号、并将接地平面和电源平面放置在相邻的层上以减少电源环路电感和振铃。

7.) VSSA 和 VSSB 是不同的接地端。 在半桥应用中、VSSA 应连接到高侧 MOSFET 的源极、而 VSSB 应连接到低侧 MOSFET 的源极。 我看到您共享的原理图具有一个未填充的自举连接。 必须安装这些组件、以便为高侧正确供电、使其具有足够的电荷开启高侧 MOSFET。

希望这些能解答您的问题！

此致、

广木市