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[参考译文] UCC28C50-Q1:PSR 反馈二极管发热问题。

Guru**** 1513510 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28C56EVM-066, UCC28C50
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323879/ucc28c50-q1-psr-feedback-diode-heating-issue

器件型号:UCC28C50-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC28C56EVM-066UCC28C50

嘿、TI 团队、
我希望你们做得好。
在我们正在进行的项目中、我们将把 TI 的电流模式 PWM 控制器 IC (UCC28C50QDRQ1)用于我们的反激式转换器。 以下是反激式转换器的规格:
反激式转换器规格

反激式转换器规格
序号 参数 最小值 典型值 最大值 单位
1 输入电压 60 100 150 V
2 输出电压 12.5 13 13.5 V
3 电源 30 W
4 电流 2.2 2.3 2.4 A
5 开关频率 100 KHz
变压器技术规格:750343803
1 NP:NS 5.5
2 NP:Na 4.14
3 初级电感 75.00


我们遇到了以下问题、并采取了初步措施来解决这些问题:

  1. 负载调节问题 :当负载在0A 到2.5A 之间变化时,输出电压从13.5V 大幅降低到7V。 我们通过在辅助绕组处将 PSR 网络中的肖特基二极管替换为 PN 二极管来解决此问题、成功解决了输出电压下降问题。
  2. 二极管加热: 尽管要更换二极管、但二极管温度仍会达到100°C、即使使用1W PN 二极管、这也会引发热管理问题。
  3. 输出电压不稳定性: 尽管在输出端采用了齐纳二极管、但空载条件下电压会继续升高、这一现象与原始肖特基二极管所观察不到。 然而、0.5W 齐纳二极管证明功率不足和过热。

请查看随附的设计原理图。 导致问题的二极管已在原理图中突出显示。
我们非常感谢您在解决这些挑战方面的支持和专业知识。

e2e.ti.com/.../Flyback_5F00_Maxwell_2D00_TI.pdf

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    您好!

    1.

    我们的 EVM UCC28C56EVM-066从10%负载到100%负载的调节约为+/- 4%。 负载低于10%时、变压器泄漏对负载效率起着重要作用。 当您看到13.5V 到7V 时、您的输入电压是多少? 如果输入电压生效、则可能需要调整变压器匝数比。 但您的消息似乎不再是问题。

    2.  

    您是指辅助环路中的二极管吗? 您需要测量二极管电压和电流-这似乎是由于高反向恢复功率损耗所致。 如果确实如此、您可能需要在 Vout 调节和二极管功率损耗之间进行权衡、或使用更大的二极管。

    3.

    当负载低于10%时、输出端的齐纳二极管是将 Vout 保持在特定范围内的必要条件。 0.5W 齐纳二极管似乎不够。 除了齐纳二极管,你还需要增加一些模拟负载,并尝试减少你的树架泄漏。

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    您好!

    二极管需要正确选择、并具有足够的功率耗散能力。 这看起来您选择的二极管不足以满足所需的功率耗散。 您需要测量二极管电压和电流以确定正确的二极管、例如反向恢复以及泄漏是否会导致输出齐纳二极管上的电压尖峰过大。

    这些是我们所知道的。

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    黄宏发您好!

    1. 当输入电压范围为100V 至130V 时、输出电压降至13.5V 至7V。 确认变压器不是问题所在、将辅助环路上的二极管从肖特基替换为正常的 PN 二极管即可解决该问题。 我仍在尝试了解更换二极管是如何解决这个问题的。

    2. 满负载时通过二极管的电流约为30mA。

    3. 关于虚拟负载、我在输出端使用了一个100k 的电阻器、这与 EVM 设计一致。 但是、我怀疑100k 电阻可能无法提供足够的负载。 您能建议虚拟负载的适当大小吗?

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    您好!

    1.

    您需要比较 MOSFET Vgs 和 Vds 以找出100V 和130V 时的差异。 我想差异来自您的反馈。 因此、还需要比较 IC COMP 电压、因为占空比由 COMP 和 CS 控制。 因此需要测量 CS 和 COMP 波形。 很快就会更快、因此您的反馈可能会比慢速二极管短时间内检测到高压尖峰、然后您的反馈环路从辅助侧检测到较高的电压、然后降低占空比。

    2.

    哪种二极管? 那么它的开关波形呢? 您需要获得其开关电压和电流、以了解其温度为何较高、这应该是由其功率损耗引起的。

    3.

    取决于设计的适当虚拟负载。 看起来您的变压器具有更高的漏电流。 您可以每次将虚拟负载加倍、以查看它何时正常。 或者使用功率更大的齐纳二极管。 或者尝试减少变压器漏电尖峰。

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    Hey Hong Huang、

    1. 遗憾的是、我们无法更改变压器的漏电感。 您能建议其他解决加热问题的方法吗?
    2. 下面是 AUX 环路二极管两端电压降的 DSO 图像:
      1. 安装肖特基二极管时辅助二极管两端的压降波形: https://drive.google.com/file/d/1s9J1ej7YQu49Ohpx60tbni28NayE4yxi/view?usp=drive_link 
      2. 安装 PN 二极管时辅助二极管两端的压降波形: https://drive.google.com/file/d/1IzfohY9HawBmeBykgk-tva2rdiU90zcb/view?usp=drive_link
      3. PN 二极管两端的峰值电压及其时间间隔: https://drive.google.com/file/d/1lKKqkM_xOFtnS_K826VU8ud1fW-kJst3/view?usp=drive_link
      • 哪种二极管? 那么它的开关波形呢? 您需要获得其开关电压和电流以了解为何其温度较高、这应该是因为其功率损耗。

      我要采用的二极管是 AUX 二极管、上面连接的是开关波形。 电流为30 mA 常数;电流没有差异。

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    您好!

    我现在对您的需求有一个了解、即为什么较慢的二极管可以使转换器调节正常工作为什么肖特基二极管不起作用、对吧? 如果是这样、我认为已经提供了我的解释、因为泄漏尖峰会流经一个快速二极管来为您的 AUX 电容器(AQ: CP 4.7UF 50V X7R 10% 0805 TDK)。因此、反馈环路会看到更高的电压、然后根据 AUX 反馈调整占空比、因此您的转换器 Vout 会变低并超出稳压范围。 如果您仍想使用肖特基二极管、则需要调整 AUX 电容值(AQ:CP 4.7UF 50V X7R 10% 0805 TDK)、以便更小的电压增加、从而将占空比调整为更接近 Vout 需求。

    顺便说一下、我无法打开 google 驱动器查看您的波形-您可以将它们作为附件发送到 E2E 主题吗?

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    安装肖特基二极管时辅助二极管上的压降波形:

    安装 PN 二极管时辅助二极管的压降波形:

    PN 二极管的峰值电压及其时间间隔:

    抱歉显示驱动器链接。 如您所见、在 AUX 二极管上看到30伏峰值、并且在使用 PN 二极管时发热(输出电压不下降、但输出齐纳二极管发热、并且在未连接负载时无法提供输出调节)、 但 使用肖特基二极管时、二极管上不会出现峰值(但输出电压会下降)。 我们需要输出调节方面的帮助、也需要解决这些发热问题。  

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    您好!

    听起来当辅助二极管具有较低的尖峰时、输出二极管会具有较高的电压尖峰。 或者输出电压具有较低的尖峰、但辅助电压具有较高的尖峰。

    您能否捕获输出二极管波形以进行确认? 如果确认了这一点、则会由于更高的尖峰而导致输出二极管升温。 那么一种可能的解决方案是在输出二极管上添加缓冲器来减少其尖峰。 可以采取的其他措施可以使输出绕组和输入(初级)绕组之间实现更好的耦合、从而减少漏电、帮助减少尖峰。

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    Hey Hong Huang、

    我希望你们做得好。 在我们的设计中、我遇到了一些可以真正运用您专业知识的问题。 下面是所发生的事情的细目:

    1. 主要侧问题:MOSFET 过早钳位

      • 我注意到、MOSFET 的 VDS 在各种输入电压范围内钳制在大约100V。 即使我按照 UCC28C56EVM-066的设计应用了320V 的初级侧钳位、也会出现这种情况。
      • 我一直在使用 Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1 MOSFET、它的 VDS 通常是600V。 所以、问题似乎与 MOSFET 本身无关。 但是、我不确定这种过早钳位是否会在设计中引起任何其他问题。
      • 您可以看到下面的 VDS 波形。  

    2. 辅助问题:AUX 二极管反向恢复时间的影响

      • 我很想了解 AUX 二极管的反向恢复时间对整体系统性能的影响。

      • 当我将原始二极管(肖特基:AQ:SD_200V 2A SMF)替换为 PN 二极管(S1DHE3_A/H:1.8uS)、认为反向恢复时间更短、我遇到了一个严重的问题。 输出无法在13V 下提供预期的2.5A 电流。 相反、它在输入电压为100V 时仅控制在1.7A 左右、在输入电压为60V 时仅控制在700mA 左右。 令人惊讶的是、在负载大于1.8A 且输入电压为100V 时、输出电压下降到接近0V、但当负载移除后(在空载条件下)、输出电压会自发恢复到大约~14V。

        这种体验与我在 AUX 环路使用反向恢复时间较长(BYG10YHE3:4us)的二极管时观察到的情况大不相同。 使用这款二极管、我注意到输入电压为60V 时的电流输出范围为1.6A 至130V 时的2.7A。 但是、通过消耗超过此阈值的额外电流、输出电压急剧下降到接近0V。 与速度更快的二极管类似、恢复输出电压时无需在负载移除时对器件进行下电上电。

      • 此外、我将对这两个二极管之间观察到的峰值差异进行比较。 值得注意的是、无论使用哪种二极管、在这些实验中、发热问题始终存在。

    3. 次要问题:齐纳二极管过热
      • 当施加0.5A 的负载时、安装在输出端的13V 齐纳二极管会出现严重发热、尤其是在输出电压接近14.5V 左右时。 这种过热会导致逐渐降级、从而影响二极管的调节能力、尤其是在空载的情况下。

      • 尽管尝试通过在输出端将100k 电阻器替换为10k 电阻器来缓解该问题以用作虚拟负载、但齐纳二极管即使在最低负载下也会继续变热。 有趣的是、当从次级侧汲取电流时、输出电压降至13V、导致齐纳二极管停止调节、随后冷却。

      • 我考虑过的一种潜在解决方案是使用3W 齐纳二极管、这可实现更好的散热。 但是、如果输出电压调节仍然不足、即使是3W 齐纳二极管也会发热并保持大约14.5V 的输出电压。

    • 波形:  

      • 通道1 -次级线圈
      • 通道2 - VDS
      • 通道3 -辅助二极管两端的电压  
      • 通道4 - UCC28C50的 OUT 引脚。
         
      1. 您可以看到下面的 VDS 波形。

    • 此外、我将对这两个二极管之间观察到的峰值差异进行比较。 值得注意的是、无论使用哪种二极管、在这些实验中、发热问题始终存在。

    反向恢复较快的二极管= 1.8us

       


    • 具有更快反向恢复的二极管- 4uS
            
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    您好!

    1.如果电压 Vds 不够高、则320V TVS 将不会开启。 您需要计算反射电压 VR 以确定 VDS 的大小。 VDS 尖峰来自变压器泄漏、输入电压和 MOSFET 关闭时的初级侧电流以及反射电压 VR。

    我看到您的 NP/NS = 5.5、因此当 Vout = 14.5V 时、假设次级侧二极管压降= 0.7V、则变压器的反射电压 VR =(14.5V + 0.7V) x 5.5 = 83.6V。这似乎是 VDS 大约为100V 的原因。

    由于您的反射电压约为100V、因此320V TVS 对于您的设计而言并不合适、这可能需要具有更高 VDS 额定值的 MOSFET、但实际上并不需要。 您可能考虑使用160V TVS 作为钳位。

    2. Vout 基于 FB 电压。 您可以测量 FB 引脚电压以比较辅助效果上的不同二极管。 为了实现良好的 Vout 调节、我们的经验是使用速度较慢的二极管、因此与速度较快的二极管相比、泄漏尖峰对 FB 的影响较小、但也需要调整电容器值来帮助调节 Vout。  因此、仅捕获辅助二极管上的波形无法知道为什么-关键是如何获得 FB 引脚电压、这取决于辅助二极管、变压器泄漏、从 Vout 到 AUX 的耦合、电容器值(AQ: CP 4.7UF 50V X7R 10% 0805 TDK)。 您需要对这些进行调整、以获得最佳的 Vout 调节范围。 请注意、对于 AUX 稳压 Vout、由于存在泄漏和耦合限制、Vout 只能在负载和 Vin 范围内实现良好的调节。

    3:如果变压器在齐纳电压上具有更高的泄漏尖峰、则次级侧齐纳二极管会开启更多、因此温度会升高更多。 因此、如果您无法减小尖峰、您将不得不使用更大的齐纳功率或将齐纳电压更改为更高的值。