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[参考译文] LM25143:LM25143是否可用于功率 FPGA

Guru**** 1489625 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117, LM5143, LM25143, UCD90124
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1319904/lm25143-can-lm25143-use-for-power-fpga

器件型号:LM25143
主题中讨论的其他器件: UCD90124、LM5143、LM5117

您好、TI 专家。

我的项目是为 Xilinx FPGA Versal Prime VCCINT 设计 PSU 电路、我曾研究过 TI 参考电源解决方案、但该设计符合我的要求且占用了太多的空间。

因此、我确认 TI 器件 LM25143也能满足我的要求、该器件以前用于电源 FPGA 吗?

以下是我的设计规格

输入电压:12V/24V

输出电压:0.88V

Iout (最大值):40~60A

电压纹波+/-2%

同时附上快速启动设计工具表、让您了解所选部件。

e2e.ti.com/.../LM_2800_2_2900_5143_2D00_Q1-quickstart-design-tool-_2D00_-revB2_5F00_For_5F00_Xilinx_5F00_Versal_5F00_Prime.xlsm

非常感谢。

Alex。

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    您好 Alex:

    我查看了随附的文件、建议将开关频率降至100kHz 以帮助改善温度上升、更重要的是确保不会在最大输入电压下进入占空比饱和状态。  此器件具有最小 Ton 最小值规格、在该范围内运行可能会导致瞬态性能不佳。   

    另外、确保将电流限值设置为比输出电流要求高10 10 12%。

    希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    尊敬的 David:

    我将 FSW 更改为100kHz、它需要更换一些器件、但这也会将效率提高到80%以上的电流负载。

    我想我会混合一些褐色/极性电容(22uF*4 +10uF*4输入,1000uF*2+100uF*4+47uF 输出) ,以减少设计中电容的数量。

    检查 BOM 后、我发现 RHO (在引脚 HO1/2之外)缺失、是否有建议的值?

    谢谢。

    Alex。

    e2e.ti.com/.../LM_2800_2_2900_5143_2D00_Q1-quickstart-design-tool-_2D00_-revB2_5F00_For_5F00_Xilinx_5F00_Versal_5F00_Prime_5F00_TI_5F00_reply.xlsm

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    您好 Alex:

    目前、建议高侧栅极驱动器 Ho1和2采用0hms、低侧栅极驱动器不需要电阻器。 确保将电阻器放置在靠近 IC 的位置、并按照数据表中的说明进行差分布线。

    希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    尊敬的 David:

    另一个问题是、是否有测量两相电流输出的任何命令?

    由于这是一个两相降压转换器、因此读取单感测电阻的 Vdiff 不能表示整个系统输出。

    在我的系统中、我将 UCD90124用作电源序列发生器、其中包含用于电流读数的嵌入式2.5V ADC。

    我想并联6个5m Ω 和 G=50个电流感应放大器。

    有可能吗?  

    谢谢。

    Alex。

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    您好 Alex:

    您可以为六相堆叠 LM5143控制器、唯一需要考虑的是时钟时序控制、以确保六相时钟时序均匀地超过360度。

    请参阅四相配置、并针对六相堆叠另一个器件。

    希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    尊敬的 David:

    我可以简略地回答我的问题吗?是否有任何方法可以测量此系统的电流输出?

    在我的系统中、我使用 UCD90124监控 电压轨、使用2.5V ADC 进行电压读取、也可用作读取电流。

    谢谢。

    Alex。

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    您好 Alex:

    开始的好地方是考虑使用电流检测放大器、链接到我们的以下 INA 放大器、有趣的是、我们确实有一个较旧的器件、即内置了电流监控器引脚的 LM5117。

    电流检测放大器| TI.com

    希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    David、您好!

    我还有一个地方需要说明、从 Excel 表的"BOM&Schematic"页面来看、建议2个器件可在原理图中用作 N 沟道 MOSFET

    NVMFS5H663NL"和 NVMFS5C628NL"

    我是否应该对所有 MOSFET 使用相同的器件(例如 Q1-Q4 =  NVMFS5H663NL)

    还是必须有秩序? (例如 Q1、Q3 = NVMFS5H663NL;Q2、Q4 = NVMFS5C628NL )

    谢谢。

    Alex。

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    您好 Alex:

    为了实现更优 效率设计、建议使用2种类型的 FET、而不是全部使用4种相同类型的 FET。  原因是 LS FET 在大部分周期处于高降压比状态。  这将产生最多的 I^2R 损耗、而 HS FET 仅在短时间内开启、而 FET 中的损耗是主要的转换损耗。  HS FET 通常会稍微高一点的 RDS ON 和更低的 Qg、这样可以进行折衷、以提高此位置的效率。  LS FET 通常具有较低的 RDS ON 和较高的栅极电荷、可提供最高效率。  希望这有道理并有所帮助。

    大卫。