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[参考译文] LM5026:主 MOSFET 在关断时的栅极电压振铃

Guru**** 1471450 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5026
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1324793/lm5026-gate-voltage-ringing-in-main-mosfet-at-turn-off

器件型号:LM5026

您好!

我正在使用 LM5026调试有源钳位正向转换器、具体参数如下:

  • 输入电压= 54V
  • VOUT = 48V
  • Pout = 250W
  • 电感器240uH
  • F_SW=130k
  • Clamp = 30n
  • N MOSFET:Infineon IPB117N20NFD
  • P MOSFET:  在半  FQD4P40

变压器参数:

  • n = 2.5
  • 磁化电感140uH
  • 漏电感~0.6uH

问题是、在 toff 期间、N MOSFET 的栅极会出现电压振铃。 振荡太高、以至于晶体管似乎在振荡期间接通了几次、从而导致钳位电容器出现电流振荡。 这已成为辐射发射中的 EMI 问题、因为振荡的频率约为100 MHz。

我附加了一个振荡器图像、CH1是主 MOSFET 的 Vds、而 CH2是 Vgs。  

我们将感谢您提供任何帮助、

谢谢!

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    您好!

    您能否尝试增加死区时间以查看振铃是否可以减小或消除? 如果不是、请提供您的原理图、同时指明测量波形的位置。

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    您好!

    我已将死区时间从100ns 增加到150sn、这没有区别、振铃保持不变。 顺便说一下、振荡发生在死区时间期间、在 P MOSFET 导通之前。 我附加了原理图、其中测量波形的点标有 CH1和 CH2  

    e2e.ti.com/.../6862.Sheet1.pdf

    非常感谢。

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    您好!

    CH2是 N 沟道 MOSFET Vgs、显示高振铃导致 CH1 Vds 振铃。 您需要找到一种方法来衰减 Vgs 关断振铃。 一种方法是与 N 沟道 MOSFET 上的二极管串联一些电阻、以降低其关断速度、帮助消除振铃。 另一种方法是检查电路板布局、因为电路板的布线电感过大而会引起振铃。