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[参考译文] LM25149-Q1：PSpice for TI 中的收敛问题

admin
Guru**** 1568665 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19505KTT, CSD18542KTT, CSD18534KCS, LM25149-Q1, CSD19502Q5B, CSD18563Q5A, CSD17579Q5A, CSD17505Q5A, CSD16342Q5A, CSD15380F3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1322262/lm25149-q1-convergence-problems-in-pspice-for-ti

器件型号：LM25149-Q1
主题中讨论的其他器件： CSD19502Q5B、CSD19505KTT 、 CSD18563Q5A、CSD18542KTT、CSD18534KCS、 CSD17579Q5A、 CSD17505Q5A、 CSD16342Q5A、 CSD15380F3

我有一个 LM25149-Q1设计可以使用通用 PSpice MOSFET 模型进行仿真、但当我将 MOSFET 模型更改为我们最喜欢的器件(DMTH8008LPSQ)时、TI 的 Pice 即使在使用仿真参数进行实验后也会拒绝收敛。 (例如 RELTOL、VINTOL、ABSTOL 等。)

我在下面附上了仿真文件。

请你怎么做才能让它收敛呢？

e2e.ti.com/.../Pspice-LM25149_2D00_Q1-6_2D00_Feb_2D00_24.zip

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Cheis、您好！

    请尝试以下操作、希望这对您有所帮助。

    在"PSPICE>Edit Simulation Profile"下修改容差。

    1. 选择分析>最大步长
      1. 将较小的示例设为20ns

     

    1. 选择选项
      1. 选择"analog simulation">"General"
    1. 此时、您将看到一个默认公差设置的列表、
          1. 建议增加
            1. RELTOL 或 VNTOL 和 ABSTOL
    1. 增加至默认设置的10倍
    1. 如果所有其他项都失败、则可以在仿真设置中选择自动收敛。  选择模拟模拟仿真>自动收敛>选择您要自动收敛的框。
      1. 这允许用户为所有仿真设置定义公差范围、并在 指定的限制范围内自动调整以尝试运行模型。

     大卫。

  • 0
    TI__Guru**** 1568665 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 David：

     我曾尝试过：

    最大步长= 20ns (以及更大/更小的值)

    RELTOL、VINTOL、ABSTOL 的默认值为10倍

    选择所有自动转换选项(包括重新启动)

    ...但我仍然得到这些收敛错误:-

    我还尝试了德州仪器(TI)/电源管理/MOSFET 库中的几种不同 MOSFET (例如 CSD19502Q5B)、它们都产生了类似的收敛错误。

    加油打气

    克里斯

     

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Chris、您好！

    我尝试运行您提供的模型、并确认它遇到收敛问题。  我们对测试台似乎进行了许多修改。   

    根据以下建议、从产品文件夹下载 PSPICE 模型并使用 N 沟道 MOSFET 分线器件、并将其修改为您更喜欢使用的 FET。  一次改变一个想法并运行。  建议在进行任何其他更改之前使用上述破孔设备运行该文件。

    希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    David、您好！

     我已将 DMTH8008LPSQ 组件替换为"POWER_Mbreakn"、它确实进行了仿真、但没有收敛错误。 但我无法看到如何修改 POWER_Mbreak、使其看起来像 DMTH8008LPSQ。  NRB、NRD、NRG 和 NRS 似乎有属性、但我找不到任何有关如何将这些参数与 Rdson、Qg 等数据表参数相关的文档。 您能告诉我如何操作、或者建议进一步阅读吗？

    加油打气

    克里斯

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    您好、Craig：

    我认为您应该使用 SPICE 模型对性能建模、至于损耗和效率、最好使用计算器进行计算。  更改 MBREAK 参数不是简单的。  您必须向要使用的 FET 模型添加属性。   

    另一个想法是找到与您正在使用的 FET 类似的 FET、库中有许多 TI FET 选择闭合匹配。  希望这对您有所帮助。

    大卫。

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    TI__Guru**** 1568665 points
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    David、您好！

     正如您所说的"不直截了当"、我想我可能很难找到其中的一些价值观。

    我在设计和原始 snvmc96.zip (LM25149-Q1参考设计)中尝试了一系列 TI MOSFET (请参阅下文)、但都无法收敛。

    我将尝试使用计算电子表格来计算损耗。

    是否可以联系最初创建 LM25149-Q1模型的人员、看看他们能否解释为什么该模型与"实际"MOSFET 模型存在收敛问题？

    此致

    克里斯

    我尝试过的 MOSFET：-

    CSD19502Q5B
    CSD19505KTT
    CSD18563Q5A
    CSD18542KTT
    CSD18534KCS
    CSD17579Q5A
    CSD17505Q5A
    CSD16342Q5A
    CSD15380F3
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    TI__Guru**** 1568665 points
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    Chris、您好！

    我们将在适当的时候介绍这一点。感谢您的反馈、请使用计算器帮助您完成设计阶段、因为我无法给出此阶段的完成时间。

    谢谢。

    大卫。