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[参考译文] LM51521-Q1:推荐用于 IAUC60N04S6L039的栅极电阻器

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51521-Q1, LM5152EVM-BST
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1323518/lm51521-q1-recommended-gate-resistor-for-iauc60n04s6l039

器件型号:LM51521-Q1
主题中讨论的其他器件: LM5152EVM-BST

专家、您好!


我们的客户在其电路板上测试 LM51521-Q1。
但他们会因 EMI 而烦恼。
目前他们没有添加栅极寄存器、因此他们考虑添加栅极电阻器来改善 EMI。

然后、您能否为所使用的 FET (IAUC60N04S6L039)提供建议的栅极电阻器和最大栅极电阻器值?

此致、
仓口和树

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kazuki:

    感谢您的联系。 通常建议  在 PCB 设计中为栅极电阻器添加空间、这样可以提供更高的灵活性、 LM5152EVM-BST 中也是如此。
    IAUC60N04S6L039 的数据表中、我没有看到 MOSFET 的内部栅极电阻值、因此我们无法准确地将其考虑在内。
    由于数据表中未给出栅极电阻的计算方法、我建议您查看 栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南

    如果您有任何问题、请联系我们。

    谢谢、此致、
    布赖恩